中望CAD2010体验版正式发布。作为中望公司的最新年度力作，在继承以往版本优势的基础上，中望CAD2010融入了以“安全漏洞抓取、内存池优化、位图和矢量图混合处理”等多项可以极大提高软件稳定性和效率的中望正在申请全球专利的独创技术，新增了众多实用的新功能，在整体性能上实现了巨大的飞跃，主要体现在以下几方面： 大图纸处理能力的提升 文字所见即所得、消隐打印等新功能 二次开发接口更加成熟 一、大图纸处理能力的提升 中望CAD2010版采用了更先进的内存管理以及压缩技术，采用了一些新的优化算法，使得中望CAD常用命令执行效率和资源占用情况得到进一步的提高，特别是在低内存配置下大图纸的处理能力，大大减少了图纸内存资源占用量，提升了大图纸处理速度。主要体现在： 大图纸内存占用量显著下降，平均下降约30%，地形图类图纸则平均下降50%； 实体缩放和平移，zoom\pan\redraw更加顺畅； 保存速度更快、数据更安全，保存速度平均有40%的提升。 二、新增功能 1、文字所见即所得 文字编辑器有多处改进，文字编辑时显示的样式为最后在图面上的样式，达到了所见即所得的效果。文字编辑器新加入段落设置，可进行制表位、缩进、段落对齐方式、段落间距和段落行距等项目的调整。另外，在文字编辑器内可直接改变文字倾斜、高度、宽度等特征。 2、消隐打印 中望CAD2010版本支持二维和三维对象的消隐打印，在打印对象时消除隐藏线，不考虑其在屏幕上的显示方式。此次消隐打印功能主要体现在以下两个方面： （一）、平台相关命令和功能的调整 视口的“属性”：增加“着色打印”选项（“线框”和“消隐”两种着色打印项） 选择视口后，右键菜单支持“着色打印”项（ “线框”和“隐藏”两种模式） 命令mview增加了“着色打印”功能项，可以方便用户设置视口的“着色打印属性”（线框和消隐两种模式） 打印”对话框调整：在布局空间，激活“打印”对话框，以前的“消隐打印”选项显示为“隐藏图纸空间对象”。 页面设置管理器启动的“打印设置”对话框调整：图纸空间中，通过页面设置管理器激活的“打印设置”对话框，以前的“消隐打印”选项显示为“隐藏图纸空间对象” （二）、消隐打印使用方法的调整 模型空间： 可通过“打印”或“页面设置管理器”打开的“打印设置”对话框中的“消隐打印”选项来控制模型空间的对象是否消隐打印，同时包含消隐打印预览，若勾选“消隐打印”按钮，模型空间的对象将被消隐打印出来。 布局空间： 若要在布局空间消隐打印对象，分为两种情况： 1) 布局空间视口外的对象是否消隐，直接取决于“打印设置”对话框中“隐藏图纸空间对象”按钮是否被勾选； ２）布局空间视口中的对象是否消隐，取决于视口本身的属性，即“着色打印”特性选项，必须确保该选项为“消隐”才可消隐打印或预览 3、图层状态管理器 可以创建多个命名图层状态，以保存图层的状态列表，用户可以通过选择图层状态来表现图纸的不同显示效果。这种图层状态可以输出供其它图纸使用，也可以输入其它保存的图层状态设置。 4、文字定点缩放 能够依据文字位置的特征点，如中心，左下等，作为基准点，对多行文字或单行文字进行缩放，同时不改变基准点位置。 5、Splinedit新功能 全面支持样条曲线的编辑，主要体现在SPLINEDIT命令行提示中，如下： 拟合数据(F)/闭合样条(C)/移动(M) 顶点(V)/精度(R)/反向(E)/撤消(U)/<退出(X)>: 拟合数据： 增加(A)/闭合(C)/删除数据(D)/移动(M)/清理(P)/切线(T)/<退出(X)>: 增加、删除数据：通过增加、删除样条曲线的拟合点来控制样条曲线的拟合程度。 移动：通过移动指定的拟合点控制样条曲线的拟合数据 闭合/打开：控制样条曲线是否闭合。 清理：清除样条曲线的拟合数据，从而使命令提示信息变为不包含拟合数据的情形。 切线：修改样条曲线的起点和端点切向。 闭合样条：将打开的样条曲线闭合。若选择的样条曲线为闭合的，该选项为“打开”，将闭合的样条曲线打开。 移动：可用来移动样条曲线的控制点到新的位置。 精度：可通过添加控制点、提高阶数或权值的方式更为精密的控制样条曲线的定义。 反向：调整样条曲线的方向为反向。 6、捕捉和栅格功能增强 7、支持文件搜索路径 关于激活注册：打开CAD界面，找到左上面的“帮助”，激活产品-复制申请码-再打开你解压到CAD包找到keygen.exe（也就是注册机，有的在是“Key”文件里，如果没有可以到网上下载），输入申请码--点击确定，就中间那个键--得到数据 应该是五组-复制再回到上面激活码页面，粘贴激活码确定就ok ！复制(粘贴)的时候用 ctrl +c（v），用鼠标右键没用！ 如果打开安装CAD就得注册才能运行的，那方法也跟上边的差不多！ 其实你在网上一般是找不到激活码的，因为各个申请码不一样，所以别人的激活码到你那基本上没用，只能用相应的方法得到激活码，这方法也就要你自己去试了，我原来也不会装CAD，但现在一般3分钟就装好了，只要知道怎么说了就快了，一般软件都是一样的装法，不会装可以到网上找资料！有时求人不如求已，自己算比在网上等着别人给你算快多了
上传时间： 2013-11-18
上传用户：段璇琮*
为了提高Forward变换器非线性系统的控制性能，采用了精确线性化控制方法。首先采用开关函数和开关周期平均算子建立适合微分几何方法的仿射非线性系统模型。从理论上证明了该模型满足系统精确线性化的条件。对非线性坐标变换后得到的线性系统，利用二次型最优控制策略推导出非线性状态反馈控制律。实验结果表明，系统具有良好的静态和动态性能，验证了该控制方法的有效性和正确性。
上传时间： 2013-11-10
上传用户：xywhw1
本文阐述了一个基于原边控制开关的充电器/适配器设计，包括芯片的特征及详细的工作原理，以及设计技巧
上传时间： 2013-11-09
上传用户：wlcaption
针对电能质量扰动的在线识别，提出一种基于dq变换和S变换的电能质量扰动识别方法。首先根据扰动信号电压有效值的分布特性将扰动分为两类：第一类为电压暂降、暂升和中断；第二类为振荡暂态、电压尖峰、电压缺口和谐波。利用dq变换有效值波形特征对第一类扰动进行识别；然后对第二类扰动进行S变换，通过变换后S矩阵的频谱标准差和工频幅值变化进行识别。仿真结果表明：该方法正确率高、响应速度快、结构简单且抗噪声能力强。
上传时间： 2014-01-12
上传用户：sdq_123
ADuM320x是采用ADI公司iCoupler® 技术的双通道数字隔离器。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片变压器技术融为一体，具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光电二极管，因而不存在一般与光耦合器相关的设计困难。简单的iCoupler 数字接口和稳定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的电流传输比不确定、非线性传递函数以及温度和使用寿命影响等问题。这些iCoupler 产品不需要外部驱动器和其它分立器件。此外，在信号数据速率相当的情况下，iCoupler 器件的功耗只有光耦合器的1/10至1/6。 ADuM320x隔离器提供两个独立的隔离通道，支持多种通道配置和数据速率（请参考数据手册“订购指南”部分）。两款器件均可采用2.7 V至5.5 V电源电压工作，与低压系统兼容，并且能够跨越隔离栅实现电压转换功能。ADuM320x隔离器具有已取得专利的刷新特性，可确保不存在输入逻辑转换时及上电/关断条件下的直流正确性。 与ADuM120x隔离器相比，ADuM320x隔离器包含多项电路和布局改进，系统级IEC 61000-4-x测试（ESD、突波和浪涌）显示其性能大大增强。对于ADuM120x或ADuM320x产品，这些测试的精度主要取决于用户电路板或模块的设计与布局。 应用 --尺寸至关重要的多通道隔离 --SPI 接口/数据转换器隔离 --RS-232/RS-422/RS-485收发器隔离 --数字现场总线隔离 特性： 增强的系统级ESD保护性能，符合IEC 61000-4-x标准 工作温度最高可达：125℃ 8引脚窄体SOIC封装，符合RoHS标准 技术指标： 高共模瞬变抗扰度：>25 kV/μs 双向通信 - 3 V/5 V 电平转换 - 高数据速率：dc 至 25 Mbps（NRZ）
上传时间： 2013-10-11
上传用户：skhlm
ADUM1201: 双通道数字隔离器（1/1通道方向性） ADuM120x 是采用ADI公司iCoupler® 技术的双通道数字隔离器。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片变压器技术融为一体，具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光电二极管，因而不存在一般与光耦合器相关的设计困难。简单的iCoupler 数字接口和稳定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的电流传输比不确定、非线性传递函数以及温度和使用寿命影响等问题。这些iCoupler产品不需要外部驱动器和其它。 特性： 8引脚窄体SOIC封装，符合RoHS标准 低功耗工作 双向通信 3 V/5 V电平转换 工作温度最高可达125°C
上传时间： 2014-01-17
上传用户：hui626493
本文提出用级联多电平逆变器取代变压器多重化结构的STATCOM 拓扑结构，用载波相移正弦脉宽调制技术(Carrier phase-shifted SPWM，以下简称CPS-SPWM)取代工频调制。这种基于CPS-SPWM 级联多电平逆变器的STATCOM 不仅去掉了多重化变压器，而且用较低的开关频率可以获得较高的等效开关频率的输出效果，简化了滤波；针对电力系统强耦合、非线性的特征，本文提出了将自抗扰控制应用于STATCOM 装置的控制策略，此控制策略不但可以大大缩短动态过程，改善系统的动态性能，而且具有较强的鲁棒性。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：maqianfeng
LED和LVD无极灯比较谁优谁劣 LED的内在特征决定了它是最理想的光源去代替传统的光源，它有着广泛的用途。 体积小 LED基本上是一块很小的晶片被封装在环氧树脂里面，所以它非常的小，非常的轻。 耗电量低 LED耗电非常低，一般来说LED的工作电压是2-3.6V。工作电流是0.02-0.03A。这就是说：它消耗的电不超过0.1W。 使用寿命长 在恰当的电流和电压下，LED的使用寿命可达10万小时。 高亮度、低热量 比HID或白炽灯更少的热辐射。 环保 LED是由无毒的材料作成，不像荧光灯含水银会造成污染，同时LED也可以回收再利用。 坚固耐用 LED是被完全的封装在环氧树脂里面，它比灯泡和荧光灯管都坚固。灯体内也没有松动的部分，这些特点使得LED可以说是不易损坏的。 可控性强 可以实现各种颜色的变化。
上传时间： 2013-12-13
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智能电网是当前国际国内新技术和新产业发展热点。国家电网公司正在建设全国统一的坚强智能电网，其基本特征是电力系统的运营实现信息化、自动化、互动化和市场化，真正实现电能的高效利用。
上传时间： 2013-11-08
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
