电子元器件可靠性和失效分析(共40篇)
上传时间： 2013-07-15
上传用户：eeworm
电子元器件可靠性和失效分析经典文章(共38篇) pdf
上传时间： 2013-04-15
上传用户：eeworm
电子工程师手册 共17篇 pdf版
标签： 电子工程师
上传时间： 2013-04-15
上传用户：eeworm
专辑类-电子工艺-质量及可靠性相关专辑-80册-9020M 电子元器件可靠性和失效分析-共40篇-172页-4.0M.pdf
上传时间： 2013-06-21
上传用户：lwt123
专辑类-电子工艺-质量及可靠性相关专辑-80册-9020M 电子元器件可靠性和失效分析经典文章-共40篇-pdf.zip
上传时间： 2013-07-04
上传用户：ghostparker
专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G 电子工程师手册-共17篇-72.7M-pdf版.zip
上传时间： 2013-04-24
上传用户：guanliya
电感器设计工具集-27册-46.0M 德国VAC-超微晶材料磁芯用于共模滤波电感的几大优异性.pdf
上传时间： 2013-07-15
上传用户：sh19831212
专辑类-网络及电脑相关专辑-114册-4.31G 电脑技术精华大全-共77册-507M.zip
上传时间： 2013-05-26
上传用户：zhenyushaw
随着电力电子技术的发展，开关电源的小型化、高频化成为趋势，其中各个部分工作时的电磁干扰问题也越来越严重，因此开关电源的电磁兼容性也越来越引起人们的重视。目前，软开关技术因其能减少开关损耗和提高效率，在开关电源中应用越来越广泛。本文的主要目的是针对开关电源中的电磁干扰进行分析，研究软开关技术对电磁干扰的影响，并且提出一种抑制共模干扰的滤波方法。 本文首先介绍了电磁兼容的定义、开关电源EMI的特点，论述了开关电源中EMI的研究现状。从电磁干扰的三要素出发，介绍了开关电源中电磁干扰的干扰源和干扰的耦合通路。分析了电感、电容、高频变压器等器件的高频特性，并介绍了线性阻抗稳定系统(LISN)的定义和作用。在了解了软开关基本概念的基础上，本文以全桥变换器为对象，介绍了移相全桥ZVS的工作原理，分析了它在实现过程中对共模干扰的影响，并在考虑IGBT寄生电容的情况下，对其共模干扰通道进行了分析。然后以UC3875为核心，设计了移相全桥ZVS的控制电路和主电路，实现了软开关。为了对共模干扰进行抑制，本文提出了一种新型的有源和无源相结合的EMI滤波器，即无源部分采用匹配网络法，将阻抗失配的影响降到最低；有源部分采用前馈控制，对共模电流进行补偿。 针对以上提出的问题，本文通过Saber软件对移相全桥ZVS进行了仿真，并和硬开关条件下的传导干扰进行了比较，得出了在高频段，ZVS的共模干扰小于硬开关，在较低频段改善不大，甚至更加严重，而差模干扰有较大衰减的结论。通过对混合滤波器进行仿真，取得了良好的滤波效果，和传统的无源EMI滤波器相比，在体积和重量上都有一定优势。
上传时间： 2013-05-28
上传用户：iswlkje
近年来，以电池作为电源的微电子产品得到广泛使用，因而迫切要求采用低电源电压的模拟电路来降低功耗。目前低电压、低功耗的模拟电路设计技术正成为微电子行业研究的热点之一。 在模拟集成电路中，运算放大器是最基本的电路，所以设计低电压、低功耗的运算放大器非常必要。在实现低电压、低功耗设计的过程中，必须考虑电路的主要性能指标。由于电源电压的降低会影响电路的性能，所以只实现低压、低功耗的目标而不实现优良的性能(如高速)是不大妥当的。 论文对国内外的低电压、低功耗模拟电路的设计方法做了广泛的调查研究，分析了这些方法的工作原理和各自的优缺点，在吸收这些成果的基础上设计了一个3.3 V低功耗、高速、轨对轨的CMOS/BiCMOS运算放大器。在设计输入级时，选择了两级直接共源一共栅输入级结构；为稳定运放输出共模电压，设计了共模负反馈电路，并进行了共模回路补偿；在偏置电路设计中，电流镜负载并不采用传统的标准共源-共栅结构，而是采用适合在低压工况下的低压、宽摆幅共源-共栅结构；为了提高效率，在设计时采用了推挽共源极放大器作为输出级，输出电压摆幅基本上达到了轨对轨；并采用带有调零电阻的密勒补偿技术对运放进行频率补偿。 采用标准的上华科技CSMC 0.6μpm CMOS工艺参数，对整个运放电路进行了设计，并通过了HSPICE软件进行了仿真。结果表明，当接有5 pF负载电容和20 kΩ负载电阻时，所设计的CMOS运放的静态功耗只有9.6 mW，时延为16.8ns，开环增益、单位增益带宽和相位裕度分别达到82.78 dB，52.8 MHz和76°，而所设计的BiCMOS运放的静态功耗达到10.2 mW，时延为12.7 ns，开环增益、单位增益带宽和相位裕度分别为83.3 dB、75 MHz以及63°，各项技术指标都达到了设计要求。
标签： CMOSBiCMOS 低压 低功耗
上传时间： 2013-06-29
上传用户：saharawalker
