节点是网络系统的基本控制单元，论文提出了一种基于CPLD和多处理器结构的控制网络节点设计方案，它能够提高单节点并行处理能力，其模块化结构增强了节点的可靠性。
上传时间： 2013-08-31
上传用户：shanxiliuxu
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下： 对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson就大了。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？
标签： COOLMOS
上传时间： 2014-12-23
上传用户：标点符号
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
叙述了锁相环的应用及其结构特点, 较详细地介绍了锁相集成电路CD4046的结构特点和应用。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：gxm2052
挠性印制板很容易在大应力的作用下造成开裂或断裂，在设计时常在拐角处采用抗撕裂结构设计以更好地改善FPC的抗撕裂的性能。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：crazyer
根据目前印制电路板制造技术的发展趋势，印制电路板的制造难度越来越高，品质要求也越来越严格。为确保印制电路板的高质量和高稳定性，实现全面质量管理和环境控制，必须充分了解印制电路板制造技术的特性，但印制电路板制造技术是综合性的技术结晶，它涉及到物理、化学、光学、光化学、高分子、流体力学、化学动力学等诸多方面的基础知识，如材料的结构、成份和性能：工艺装备的精度、稳定性、效率、加工质量；工艺方法的可行性；检测手段的精度与高可靠性及环境中的温度、湿度、洁净度等问题。这些问题都会直接和间接地影响到印制电路板的品质。由于涉及到的方面与问题比较多，就很容易产生形形色色的质量缺陷。为确保“预防为主，解决问题为辅”的原则的贯彻执行，必须认真地了解各工序最容易出现及产生的质量问题，快速地采取工艺措施加以排除，确保生产能顺利地进行。为此，特收集、汇总和整理有关这方面的材料，编辑这本《印制电路板故障排除手册》供同行参考。
上传时间： 2013-10-12
上传用户：shen007yue
为了实现对Buck变换器直流输出电压的精确控制，优化变换器的性能，提出了一种基于双滑模面控制的控制策略，建立了数学模型，并推导了变换器滑模面的存在条件。通过仿真实验表明，采用双滑模面控制滑模变结构控制的Buck变换器具有滑模控制快速响应、鲁棒性强等特点。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：回电话#
结构电流模式与电压模式的比较 中文
上传时间： 2013-11-16
上传用户：1406054127
YJ 电源拓扑结构详述
上传时间： 2013-10-09
上传用户：顶得柱
开关电源 拓扑结构
上传时间： 2014-12-24
上传用户：JIEWENYU
