介绍了基于AD549高精度快响应低漂移微电流放大器的工作原理、电路设计和制造工艺、词试技术,该微电流放大器是核反应堆反应性测量的关键部件之一,其低噪声、快响应与低漂移技术是精确测量反应性重要因数之一。
上传时间: 2013-10-25
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基于0.25gm PHEMT工艺,给出了两个高增益K 波段低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声;采用直流偏置上加阻容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好,输入输出驻波比小于2.0;功率增益达24dB;噪声系数小于3.5dB.两个放大器都有较高的动态范围和较小的面积,放大器ldB压缩点输出功率大于15dBm;芯片尺寸为1mm×2mm×0.1mm.该放大器可以应用在24GHz汽车雷达前端和26.5GHz本地多点通信系统中.
上传时间: 2014-12-23
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设计一种压控电压源型二阶有源低通滤波电路,并利用Multisim10仿真软件对电路的频率特性、特征参量等进行了仿真分析,仿真结果与理论设计一致,为有源滤波器的电路设计提供了EDA手段和依据。
上传时间: 2013-11-12
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提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明,在典型的转角下,打开2个辅助模块时,静态功耗约为35 μA;关掉辅助模块时,主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时,屏幕上的充放电时间为10 μs;没有外接1μF的大电容时,屏幕上的充放电时间为13μs。验证表明,该跟随器能满足CSTN-LCD系统低功耗、高转换速率性能要求。
上传时间: 2013-11-18
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为解决ISM频段低噪声放大器降低失配与减小噪声之间的矛盾,提出了一种改善放大器性能的设计方法.分析了单项参数的变化规律,提出了提高综合性能的方法,给出了放大器封装模型的电路结构.对射频放大器SP模型和封装模型进行仿真.仿真结果表明,输入和输出匹配网络对放大器的性能有影响,所提出的设计方法能有效分配性能指标,为改善ISM频段低噪声放大器的性能提出了一种新的途径
上传时间: 2013-11-10
上传用户:909000580
文中介绍了一款超高频窄带低噪声放大器电路,该电路结构小巧(20 mm ×13 mm ,厚度为0.6 mm),功能可靠、稳定。放大器芯片采用3SK318YB,该芯片具有高增益、低噪声等特点。电路主要用于超高频段微波通信,电路拓扑结构采用反馈型、稳定衰减器法和低端增益衰减法进行设计。生产成品并经测试,该产品性价比高,完全达到了设计要求
上传时间: 2013-11-03
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Altium+designer+2013注册机(亲自测试可用)+Licenses
标签: designer Licenses Altium 2013
上传时间: 2013-10-19
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pcb板制造所需雕刻机软件
上传时间: 2013-10-19
上传用户:tzrdcaabb
1,电路板插件,浸锡,切脚的方法 1.制板(往往找专门制板企业制作,图纸由自己提供)并清洁干净。 2.插横插、直插小件,如1/4W的电阻、电容、电感等等贴近电路板的小尺寸元器件。 3.插大、中等尺寸的元器件,如470μ电解电容和火牛。 4.插IC,如贴片IC可在第一步焊好。 原则上来说将元器件由低至高、由小至大地安排插件顺序,其中高低原则优先于水平尺寸原则。 若手工焊接,则插件时插一个焊一个。若过炉的话直接按锡炉操作指南操作即可。 切脚可选择手工剪切也可用专门的切脚机处理,基本工艺要求就是刚好将露出锡包部分切除即可。 若你是想开厂进行规模生产的话,那么还是建议先熟读掌握相关国家和行业标准为好,否则你辛苦做出的产品会无人问津的。而且掌握标准的过程也可以帮助你对制作电路板流程进行制订和排序。 最后强烈建议你先找个电子厂进去偷师一番,毕竟眼见为实嘛。
上传时间: 2013-11-14
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今天,电视机与视讯转换盒应用中的大多数调谐器采用的都是传统单变换MOPLL概念。这种调谐器既能处理模拟电视讯号也能处理数字电视讯号,或是同时处理这两种电视讯号(即所谓的混合调谐器)。在设计这种调谐器时需考虑的关键因素包括低成本、低功耗、小尺寸以及对外部组件的选择。本文将介绍如何用英飞凌的MOPLL调谐芯片TUA6039-2或其影像版TUA6037实现超低成本调谐器参考设计。这种单芯片ULC调谐器整合了射频和中频电路,可工作在5V或3.3V,功耗可降低34%。设计采用一块单层PCB,进一步降低了系统成本,同时能处理DVB-T/PAL/SECAM、ISDB-T/NTSC和ATSC/NTSC等混合讯号,可支持几乎全球所有地区标准。图1为采用TUA6039-2/TUA6037设计单变换调谐器架构图。该调谐器实际上不仅是一个射频调谐器,也是一个half NIM,因为它包括了中频模块。射频输入讯号透过一个简单的高通滤波器加上中频与民间频段(CB)陷波器的组合电路进行分离。该设计没有采用PIN二极管进行频段切换,而是采用一个非常简单的三工电路进行频段切换。天线阻抗透过高感抗耦合电路变换至已调谐的输入电路。然后透过英飞凌的高增益半偏置MOSFET BF5030W对预选讯号进行放大。BG5120K双MOSFET可以用于两个VHF频段。在接下来的调谐后带通滤波器电路中,则进行信道选择和邻道与影像频率等多余讯号的抑制。前级追踪陷波器和带通滤波器的容性影像频率补偿电路就是专门用来抑制影像频率。
上传时间: 2013-11-19
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