赛灵思推出的三款全新产品系列不仅发挥了台积电28nm 高介电层金属闸 (HKMG) 高性能低功耗 (HPL) 工艺技术前所未有的功耗、性能和容量优势，而且还充分利用 FPGA 业界首款统一芯片架构无与伦比的可扩展性，为新一代系统提供了综合而全面的平台基础。目前，随着赛灵思 7 系列 (Virtex®-7、Kintex™-7 和Artix™-7 系列) 的推出，赛灵思将系统功耗、性价比和容量推到了全新的水平，这在很大程度上要归功于台积电 28nm HKMG 工艺出色的性价比优势以及芯片和软件层面上的设计创新。结合业经验证的 EasyPath™成本降低技术，上述新系列产品将为新一代系统设计人员带来无与伦比的价值
上传时间： 2013-11-15
上传用户：chenhr
资料介绍说明： si8000m破解版带破解文件crack si8000m是全新的边界元素法场效解算器，建立在我们熟悉的早期POLAR阻抗设计系统易用使用的用户界面之上。si8000m增加了强化建模技术，可以预测多电介质PCB的成品阻抗，同时考虑了密集差分结构介电常数局部变化。 建模时常常忽略了便面图层，si8000m模拟图层与表面线路之间的阻焊厚度。这是一种更好的解决方案，可根据电路板采用的特殊阻焊方法进行定制。新的si8000m还提取偶模阻抗和共模阻抗。（偶模阻抗是党俩条传输线对都采用相同量值，相同级性的信号驱动，传输线一边的特性阻抗.)在USB2.0和LVDS等高速系统中，越来越需要控制这些特征阻抗。
上传时间： 2013-11-05
上传用户：古谷仁美
资料介绍说明： si8000m破解版带破解文件crack si8000m是全新的边界元素法场效解算器，建立在我们熟悉的早期POLAR阻抗设计系统易用使用的用户界面之上。si8000m增加了强化建模技术，可以预测多电介质PCB的成品阻抗，同时考虑了密集差分结构介电常数局部变化。 建模时常常忽略了便面图层，si8000m模拟图层与表面线路之间的阻焊厚度。这是一种更好的解决方案，可根据电路板采用的特殊阻焊方法进行定制。新的si8000m还提取偶模阻抗和共模阻抗。（偶模阻抗是党俩条传输线对都采用相同量值，相同级性的信号驱动，传输线一边的特性阻抗.)在USB2.0和LVDS等高速系统中，越来越需要控制这些特征阻抗。
上传时间： 2013-11-16
上传用户：jiangfire
本白皮书介绍了有关赛灵思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的几个方面，其中包括台积电 28nm高介电层金属闸 (HKMG) 高性能低功耗（28nm HPL 或 28 HPL）工艺的选择。
上传时间： 2013-10-24
上传用户：wcl168881111111
赛灵思选用 28nm 高介电层金属闸 (HKMG) 高性能低 功耗技术，并将该技术与新型一体化 ASMBLTM 架构相结合，从而推出能降低功耗、提高性能的新一代FPGA。这些器件实现了前所未有的高集成度和高带宽，为系统架构师和设计人员提供了一种可替代 ASSP和 ASIC 的全面可编程解决方案。
上传时间： 2013-11-07
上传用户：zengduo
赛灵思推出的三款全新产品系列不仅发挥了台积电28nm 高介电层金属闸 (HKMG) 高性能低功耗 (HPL) 工艺技术前所未有的功耗、性能和容量优势，而且还充分利用 FPGA 业界首款统一芯片架构无与伦比的可扩展性，为新一代系统提供了综合而全面的平台基础。目前，随着赛灵思 7 系列 (Virtex®-7、Kintex™-7 和Artix™-7 系列) 的推出，赛灵思将系统功耗、性价比和容量推到了全新的水平，这在很大程度上要归功于台积电 28nm HKMG 工艺出色的性价比优势以及芯片和软件层面上的设计创新。结合业经验证的 EasyPath™成本降低技术，上述新系列产品将为新一代系统设计人员带来无与伦比的价值
上传时间： 2015-01-02
上传用户：shuizhibai
第一章 传输线理论一 传输线原理二 微带传输线三 微带传输线之不连续分析第二章 被动组件之电感设计与分析一 电感原理二 电感结构与分析三 电感设计与模拟四 电感分析与量测传输线理论与传统电路学之最大不同，主要在于组件之尺寸与传导电波之波长的比值。当组件尺寸远小于传输线之电波波长时，传统的电路学理论才可以使用，一般以传输波长（Guide wavelength）的二十分之ㄧ（λ/20）为最大尺寸，称为集总组件（Lumped elements）；反之，若组件的尺寸接近传输波长，由于组件上不同位置之电压或电流的大小与相位均可能不相同，因而称为散布式组件（Distributed elements）。 由于通讯应用的频率越来越高，相对的传输波长也越来越小，要使电路之设计完全由集总组件所构成变得越来越难以实现，因此，运用散布式组件设计电路也成为无法避免的选择。 当然，科技的进步已经使得集总组件的制作变得越来越小，例如运用半导体制程、高介电材质之低温共烧陶瓷（LTCC）、微机电（MicroElectroMechanical Systems, MEMS）等技术制作集总组件，然而，其中电路之分析与设计能不乏运用到散布式传输线的理论，如微带线（Microstrip Lines）、夹心带线（Strip Lines）等的理论。因此，本章以讨论散布式传输线的理论开始，进而以微带传输线为例介绍其理论与公式，并讨论微带传输线之各种不连续之电路，以作为后续章节之被动组件的运用。
标签： 传输线
上传时间： 2013-11-10
上传用户：潇湘书客
利用介质陶瓷材料制造的高稳定、宽温单片（或独石）电容器，广泛应用于航空航天、军事及民用通信及电子设备中。在对介质陶瓷材料组分理论、控制温度工艺研究，以及BaTiO3-MgO3-Nb2O5系材料组分重组的分析的基础上，通过改进研磨工艺，控制煅烧温度等方法，研制出了工作温度范围宽、低损耗、介电常数ε可通过调整、性能稳定性电容器介质陶瓷材料。
上传时间： 2013-10-12
上传用户：ve3344
电容器及介质种类： ※高频类： 此类介质材料的电容器为Ⅰ类电容器，包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化，适用于低损耗，稳定性要求高的高频电路，HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化，适用于低损耗、温度补偿型电路中。 ※ X7R、X5R：此类介质材料的电容器为Ⅱ类电容器，具有较高的介电常数，容量比Ⅰ类电容器高，具有较稳定的温度特性，适用于容量范围广，稳定性要求不高的电路中，如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。 ※Y5V：此类介质材料的电容器为Ⅱ类电容器，是所有电容器中介电常数最大的电容器，但其容量稳定性较差，对温度、电压等条件较敏感，适用于要求大容量，温度变化不大的电路中。 ※Z5U：此类介质材料的电容器为Ⅱ类电容器，其温度特性介于X7R和Y5V之间，容量稳定性较差，对温度、电压等条件较敏感，适用于要求大容量，使用温度范围接近于室温的旁路，耦合等，低直流偏压的电路中。
上传时间： 2013-11-05
上传用户：后时代明明
多路点滴速度控制与显示装置设计论文--能自动检测输液液位，并将各床位液位和输液速度信号传送至护办室，在护办室对多个病房各个床位的输液情况进行巡回检测和显示。当液位低于设定下限值，输液速度过高或过低，在护办室和相应床位处发出声光报警，提醒护理人员及时处理，采用一种变介电常数型电容式液位传感器。
上传时间： 2015-10-25
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