基于STM32单片机智能手环脉搏心率计步器体温显示设计
上传时间： 2022-07-07
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微波感应人体传感器的典型应用电路
上传时间： 2022-07-08
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人体微波感应传感器工作原理
标签： 人体微波感应传感器
上传时间： 2022-07-08
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【摘要】针对目前便携式人体心率采集系统的研究，本文提出了一种通过搭建以STM32ZET6为控制核心，以脉搏传感器SON1205为外部检测模块，通过C语言在KEIL5编程软件下，设计心率检测算法来实现对人体心率的检测，本系统还能够通过无线传输模块NRF2401实现将采集到的人体心率等信息进行实时的传输，从而可以实现一种远程监控，同时，系统还能够将检测到的人体心率通过液晶模块显示。实验表明，该系统工作稳定，误差较小，数据传输正常，能够达到我们整套系统的要求。
上传时间： 2022-07-11
上传用户：trh505
基于51单片机设计的红外热释电的人体感应报警器原理图和源码
上传时间： 2022-07-16
上传用户：fliang
STM32上的深度学习举例 人体运动识别，STM32Cube.AI 软件介绍。
上传时间： 2022-07-17
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51单片机人体红外传感器驱动步进电机源程序、注释详细，以下为部分代码截图：
上传时间： 2022-07-19
上传用户：kent
人体感应护眼台灯设计，仿真及源码
上传时间： 2022-07-22
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SS0002是一款采用多普勒雷达技术，专门检测物体移动的微波感应模块。采用2.7G微波信号检测人体反射波，经电路处理控制照明回路。该模块具有灵敏度高，感应距离远，可靠性强，感应角度大，供应电压范围宽等特点。广泛应用于各种人体感应照明和防盗报警等场合。微波感应又称雷达感应，微波感应开关为主动式传感器，感应器发射高频电磁波并接收他们的回波，此感应器探测回波内的变化，甚至是探测范围内微小的移动，然后触发指令。微波感应开关是一种新型无死角感应，基于多普勒雷达原理，其平面型天线发出极低功率的电磁波并接收反射回波。可有效抑制高次谐波和其他杂波的干扰，灵敏度高、可靠性强、安全方便、智能节能，是一种新型实用的节能产品。若检测到感应区域的反射频率有变化，感应器触发动作，输出信号根据需要开启或关闭负载。多普勒效应是指物体辐射的波长因为光源和观测者相对运动而产生变化，在运动的波源面前，波被压缩，波长变得较短，频率变得较高，在运动的波源后面，产生相反的效应，波长变得较长，频率变得较低，波源的速度越高，所产生的效应越大，这种现象称为多普勒效应。
上传时间： 2022-07-23
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电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
上传时间： 2013-07-13
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