AD9981是首款集成自动失调功能的显示电子器件(DEPL)。自动失调功能通过计算所需的失调设置来工作，从而在箝位期间产生给定的输出代码。当自动失调使能时(寄存器0x1B:5 = 1)，寄存器0x0B-0x10的设置由自动失调电路用作期望的箝位代码(或目标代码)，而非失调值。电路会在箝位后(但仍在“后肩”期间)输出代码和目标代码作比较，然后上调或下调失调以进行补偿。在自动失调模式下，目标代码为11位二进制补码字，并将0x0B位7用作红色通道的符号位(0x0D位7用于绿色通道，0x0F位7用于蓝色通道)。
上传时间： 2014-12-23
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AD9880集成自动失调功能。动失调功能通过监控各ADC在箝位期间的输出并计算所需的失调设置来工作，从而产生给定的输出代码。当自动失调功能使能时(寄存器0x1C:7= 1)，“目标代码”寄存器(0x09、0x0B、0x0D)中的设置由自动失调电路用作期望的箝位代码。电路会在箝位后(但仍在“后肩”期间)对比输出代码和目标代码，然后上调或下调失调以进行补偿。在自动失调模式下，失调寄存器(0x08、0x0A、0x0C)均为8位二进制补码字格式，各对应寄存器的位7为符号位。
上传时间： 2013-10-22
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校准iMEMS陀螺仪，本内容介绍了一种执行校准和温度补偿的方法
上传时间： 2014-01-01
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EVAL-PRAOPAMP-2R/2RU/2RM评估板支持采用SOIC、TSSOP和MSOP封装的双运算放大器。它能以不同的应用电路和配置为用户提供多种选择和广泛的灵活性。该评估板不是为了用于高频器件或高速放大器。但是，它为用户提供了不同电路类型的多种组合，包括有源滤波器、仪表放大器、复合放大器，以及外部频率补偿电路。本应用笔记会给出几个应用电路的例子。
上传时间： 2014-12-23
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AD9980集成自动失调功能。自动失调功能通过计算所需的失调设置来工作，从而在箝位期间产生给定的输出代码。当自动失调使能时(寄存器0x1B:5 = 1)，寄存器0x0B至0x10的设置由自动失调电路用作期望的箝位代码(或目标代码)，而非失调值。电路会在箝位后(但仍在后沿箝位期间)对比输出代码和目标代码，然后上调或下调失调以进行补偿。在自动失调模式下，目标代码为11位二进制补码字，并将0x0B位7用作红色通道的符号位(0x0D位7用于绿色通道，0x0F位7用于蓝色通道)。
上传时间： 2013-10-24
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XTR105、XTR112、XTR114是美国Burr－Brown公司在传感器领域推出的用于RTD的两线制专用集成变送电路，这个电路的突出优点是可以对Pt电阻中的二次项进行线性化补偿。文章介绍了它们的工作原理及其在一体化温度变送器中的应用。 关键词：XTR；RTD；线性化；温度变送器
标签： BURR-BROWN 273961 XTR 105
上传时间： 2014-02-17
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555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为 555，用 CMOS 工艺制作的称为 7555，除单定时器外，还有对应的双定时器 556/7556。555 定时器的电源电压范围宽，可在 4.5V~16V 工作，7555 可在 3~18V 工作，输出驱动电流约为 200mA，因而其输出可与 TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。 555 定时器成本低，性能可靠，只需要外接几个电阻、电容，就可以实现多谐振荡器、单稳态触发器及施密特触发器等脉冲产生与变换电路。它也常作为定时器广泛应用于仪器仪表、家用电器、电子测量及自动控制等方面。555 定时器的内部包括两个电压比较器，三个等值串联电阻，一个 RS 触发器，一个放电管 T 及功率输出级。它提供两个基准电压VCC /3 和 2VCC /3 555 定时器的功能主要由两个比较器决定。两个比较器的输出电压控制 RS 触发器和放电管的状态。在电源与地之间加上电压，当 5 脚悬空时，则电压比较器 A1 的反相输入端的电压为 2VCC /3，A2 的同相输入端的电压为VCC /3。若触发输入端 TR 的电压小于VCC /3，则比较器 A2 的输出为 1，可使 RS 触发器置 1，使输出端 OUT=1。如果阈值输入端 TH 的电压大于 2VCC/3，同时 TR 端的电压大于VCC /3，则 A1 的输出为 1，A2 的输出为 0，可将 RS 触发器置 0，使输出为 0 电平。
上传时间： 2013-10-15
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运放
上传时间： 2013-10-27
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模电知识
上传时间： 2013-10-15
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
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