整流滤波电路是直流稳压电源设备中常用电路，其中滤波电容的设计选取，直接影响到纹波电压的大小，关系到输出直流电压的质量。本文通过在设定条件下，依据整流滤波电路原理，阐述了纹波电压产生的过程，给出了一种滤波电容设计与选取计算方法，建立了电容选取的计算模型，描绘出了纹波电压、负载电阻与滤波电容之间关系曲线，并通过实验验证其科学性，有利于滤波电容的设计与选用。
上传时间： 2013-11-11
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本文是关于电路中的 BJT 与 MOSFET开关应用的讨论。 前段时间，一同学跟我说，他用单片机做了一个简单的 LED 台灯，用 PWM的方式控制灯的亮度，但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一，我问他3V 时 LED 的发光电流是多大，他说大概十几到二十 mA，我又问他电阻多大，他说 10KΩ。于是我笑笑说你把电阻小一点就好了。他回去一试，说用了个 1KΩ的电阻，就没有任何问题了。 我很失望他没有问我为什么要这么做，这可能是大多数电子爱好初学者存在的问题，他们的动手能力很强，但是并不注重基本的理论知识。他们大多数情况下都是“依葫芦画瓢”，借用现成的电路使用，就连参数和器件型号的选择都疏于考虑。
上传时间： 2013-11-02
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华为公司电子工程师培训教材之模拟电子下
上传时间： 2013-11-24
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
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对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
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数字电位计是机械电位计的最佳替代产品，因其具有小尺寸封装、更高可靠性、高精度和更小电压毛刺等优势。数字电位计可采用各种数字和手动接口。手动或按钮接口直接通过两个按钮开关进行控制， 例如AD5116或AD5228。按向上按钮可提高电阻，按向下按钮可降低电阻，如图1所示。
上传时间： 2013-10-11
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0欧电阻的作用
标签： 电阻
上传时间： 2014-12-23
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时钟抖动时域分析(下):
上传时间： 2013-11-18
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在电子制作和设计，经常会用到不同参数的电感线圈，这些线圈的电感量不像电阻那么容易测量，有些数字万用表虽有电感测量挡，但测量范围很有限。该电路以谐振方法测量电感值，测量下限可达10nH，测量范围很宽，能满足正常情况下的电感量测量，电路结构简单，工作可靠稳定，适合于爱好者制作。
上传时间： 2013-11-02
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软件 色环电阻计算
上传时间： 2014-11-23
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