EG8010 是一款数字化的、功能很完善的自带死区控制的纯正弦波逆变发生器芯片，应用于 DC-DC-AC 两级功率变换架构或 DC-AC 单级工频变压器升压变换架构，外接 12MHz 晶体振荡器，能实现高精度、失真和谐波都很小的纯正弦波 50Hz 或 60Hz 逆变器专用芯片。该芯片采用 CMOS 工艺，内部集成 SPWM 正弦发生器、死区时间控制电路、幅度因子乘法器、软启动电路、保护电路、RS232 串行通讯接口和 12832 串行液晶驱动模块等功能。
标签： 正弦波逆变器
上传时间： 2022-05-31
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本人对逆变器感兴趣，参考各类资料后，经过两次改版，制作了这一款纯正弦波逆变器。设计功率在300W。从DC升压到SPWM产生正弦波，均采用stm32c8t6（STM32C8T6数据手册）作为主控芯片，并同时提供高压，低压，过功率，和短路保护功能。现开源。希望和喜欢做逆变的朋友交流，共同提高。 SPWM稳压方式暂时采用310/DC求调制比的方式。从调试到现在已经烧毁了5片stm32都是cpu短路，等有空查查是什么原因。 本机带载过手电钻，豆浆机，电视机，和一台台式电脑。豆浆机空载没问题，放上豆子后，几秒钟后会触发保护。台式电脑工作10分钟后电瓶没电了，就没再试。
上传时间： 2022-06-10
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电动汽车、混合动力汽车、燃料电池汽车为代表的新能源汽车是实现节能减排目标的重要行业之一。IGBT模块作为新能源汽车的核心，其发展受到广泛关注.IGBT模块发展的关键在于改善封装方式。本文指出了日前的封装材料在电动汽车逆变器大功率IGBT模块的封装过程中存在的缺陷，引入了新型连接材料纳米银焊膏。为了验证纳米银焊膏的连接性能，以确定其能否应用在所需的1GBT模块的制作过程中，本文首先设计了单个模拟芯片的烧结连接实验，通过微x射线断层扫描仪、剪切实验、1描电镜等检测手段，对烧结后的连接层进行了全方位的检测，结果发现虽然连接层没有发现明显的缺陷，但是剪切强度较低，经过分析猜想可能是磁控溅射镀层的质量并不十分可靠，因此又设计用真芯片和小块镀银铜板的烧结连接实验，连接传况良好，剪切实验的过程中，发现是芯片先出现破损，这证明了连接的质量是可靠的。因此可以将纳米银焊膏应用在IGBT模块的制作中。本文重点介绍了整个IGBT模块的制作方法。采用和之前单个芯片烧结相类似的操作过程，完成整个模块的烧结。烧结完成后通过微 射线断层扫描仪对烧结的质量进行了检测，通过检测发现连接层质量良好。模块烧结连接之后，更做出最终成型的IGBT模块，还需要经过外壳设计与制造、打线、灌度、组装等工T艺，从而得到最终的成品，并通过晶体管特性测试仪对模块的基本电性能进行了检测。
上传时间： 2022-06-20
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摘要：对几种三相逆变器中常用的IGBT驱动专用集成电路进行了详细的分析，对TLP250，EXB系列和M579系列进行了深入的讨论，给出了它们的电气特性参数和内部功能方框图，还给出了它们的典型应用电路。讨论了它们的使用要点及注意事项，对每种驱动芯片进行了IGBT的驱动实验，通过有关的波形验证了它们的特点，最后得出结论：IGBT驱动集成电路的发展趋势是集过流保护、驱动信号放大功能、能够外接电源且具有很强抗干扰能力等于一体的复合型电路。关键词：绝缘栅双极晶体管：集成电路；过流保护1前言电力电子变换技术的发展，使得各种各样的电力电子器件得到了迅速的发展.20世纪80年代，为了给高电压应用环境提供一种高输入阻抗的器件，有人提出了绝缘门极双极型品体管（IGBT）[1].在IGBT中，用一个MoS门极区来控制宽基区的高电压双极型晶体管的电流传输，这藏产生了一种具有功率MOSFET的高输入阻抗与双极型器件优越通态特性相结合的非常诱人的器件，它具有控制功率小、开关速度快和电流处理能力大、饱和压降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的电源、逆变器、不间断电源（UPS）和交流电机调速系统的设计中，它是日前最为常见的一种器件。
上传时间： 2022-06-21
上传用户：jiabin
本文围绕光伏离网发电系统的高效率发电技术和逆变控制技术进行了研究，主要内容如下：（1）研究了单相全桥光伏离网逆变器主电路拓扑结构，详细分析了全桥逆变电路的工作原理。研究了面积中心等效SPWM控制算法及电压电流双闭环PI控制算法，在此基础上实现逆变器的稳压控制。（2）重点研究了光伏阵列的输出特性、最大功率点跟踪（MPPT）控制算法和蓄电池充电特性。在对比分析几种常见MPPT控制算法的基础上，提出了一种改进型变步长扰动观察的MPPT控制方法，同时介绍了几种实现MPPT算法的常用DCIDC变换电路，对Boost变换电路的原理进行了分析，并基于Boost电路建立了改进型变步长扰动观察法MPPT控制系统的Matlab/Simulink仿真模型，仿真结果表明改进型变步长扰动观察的MPPT算法能有效地跟踪太阳能光伏系统的最大功率点，提高了系统动态和稳态性能；设计了带MPPT和恒压充电功能的光伏充电控制器，有效地提高了光伏阵列的利用率并实现了蓄电池充电控制的优化。（3）给出了20KW光伏离网逆变器的主电路元件参数及部分硬件电路的原理图设计。（4）给出了详细的软件控制系统设计方案和各功能子模块的软件流程图.重点阐述了带死区补偿的DSPWM控制信号、稳压控制及信号检测的软件实现方法。
上传时间： 2022-06-21
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1前言莱钢型钢厂大型生产线传动系统采用西门子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交电压型变频器供电，变频器采用公共直流母线式结构；冷床传输链采用4台电机单独传动，每台电机分别由独立的逆变单元控制，逆变单元的控制方式为无速度编码器的矢量控制，相互之间依靠速度给定的同时性保持同步。自2005年投入生产以来，冷床传输链运行较为稳定，但2007年2月以后，冷床传输链逆变单元频繁出现绝缘栅双极型晶体管（Insolated Gate Bipolar Transistor，IGBT）损坏现象，具体故障情况统计见表1由表1可知，冷床传输链4台逆变器都出现过IGBT损坏的现象，故障代码是F025和F0272原因分析1）IGBT损坏一般是由于输出短路或接地等外部原因造成。但从实际情况上看，检查输出电缆及电机等外部条件没有问题，并且更换新的IGBT后，系统可以立即正常运行，从而排除了输出短路或接地等外部条件造成IGBT损坏。2）IGBT存在过压。该系统采用公共直流母线控制方式，制动电阻直接挂接于直流母线上，当逆变单元的反馈能量使直流母线电压超过DC 715 V时，制动单元动作，进行能耗制动；此外挂接于该直流母线上的其他逆变单元并没有出现IGBT损坏的现象，因此不是由于制动反馈过压造成IGBT烧坏。3）由于负荷分配不均造成出力大的IGBT损坏。从实际运行波形上看，负荷分配相对较为均匀，相互差别仅为2%左右，应该不会造成IGBT损坏。此外，4只逆变单元都出现了IGBT损坏现象，如果是由于负荷分配不均造成，应该出力大的逆变单元IGBT总是烧坏，因此排除由于负荷分配不均造成IGBT损坏。4）逆变单元容量选择不合适，装置容量偏小造成长期过流运行，从而导致IGBT烧毁。逆变单元型号及电机参数：额定功率90kw，额定电流186A，负载电流169 A，短时电流254 A，中间同路额定电流221 A，电源电流205 A，电机功率110kw，电机额定电流205 A，电机正常运行时的电流及转矩波形如图1所示。
上传时间： 2022-06-22
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利用c语言编写的dsp产生spwm波，可以用于逆变器的控制
上传时间： 2022-06-22
上传用户：ttalli
5KW_PCS逆变器_并网充放电，并网离网切换STM32F103为主控主控平台：STM32F103RCT6逆变拓扑：全桥功能：并网充电、放电；并网离网自动切换；485通讯，在线升级；描述：本方案适用于户用储能系统，提供完善的通讯协议适配BMS和上位机 本方案可实现并网充电、放电；自动判断并离网切换；可实现并机功能；风扇智能控制；提供过流、过压、短路、过温等全方位的保护基于arm的方案区别于DSP，提供一种性价比极高的选择可在此基础上开发各衍生的电源产品
上传时间： 2022-06-24
上传用户：fliang
本文的主要介绍了逆变器电路 DIY制作过程，并介绍了逆变器工作原理、逆变器电路图及逆变器的性能测试。本文制作的的逆变器（见图1）主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。这里采用六反相器 CD4069构成方波信号发生器。电路中 R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容 C1充放电完成的。其振荡频率为 f=122RC.图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2 ×3.3 ×103x22 ×10-6-62.6Hz，最小频率min-12.2 x.3 x03x22 x0-6-48.0Hz由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。#p#场效应管驱动电路#e#
标签： 逆变器
上传时间： 2022-06-26
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基于TDS2285芯片的正弦波1200W逆变器开发指南以TDS2285芯片为核心，打造一款正弦波1200W逆变机器，使大家对TDS2285芯片有更深入的了解。我们知道在许多逆变的场合中，都是低压DC直流电源要变成高压AC电源，所以中间是需要升压才能完成这一变化，我们此次讨论的依然是采用高颖的方式来做逆变，采用高频的方式相对于工频方式来做有许多优点：高转换效率，极低的空载电流，重量轻，体积小等。也许有人会说工频的皮实，耐冲击，对于这一点我也非常认同，不过需要指出的是，高频的做的好，一点也不会输于工额的，这一点，已经通过我们公司的产品和TDS2285的出货情况得到了肯定，所以，以下就让大家看看TDS2285芯片在该系统中表现吧！DC-DC升压部分：此次设计是采用DC24V输入，为了要保证输出AC220，在此环节中，DC-DC升压部分至少需要将DC24V升压到220VAC*1.414-DC31 1v，这样在311V的基础上才能有稳定的AC220V出来，为了能达到这一目地，我们采用非常熟悉的推挽电路TOP来做该DC-DC变换，电路图如下：
上传时间： 2022-06-26
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