我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA来连接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM内存条选用MT16HTS51264HY-667(4GB),分立器件选用8片MT47H512M8。设计目标:当客户使用内存条时,8片分立器件不焊接;当使用直接贴片分立内存颗粒时,SODIMM内存条不安装。请问专家:
1、在设计中,先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后,管脚约束文件是否还可更改?若能更改,则必须要满足什么条件下更改?生成的约束文件中,ADDR,data之间是否能调换? 2、对DDR2数据、地址和控制线路的匹配要注意些什么?通过两只100欧的电阻分别连接到1.8V和GND进行匹配 和 通过一只49.9欧的电阻连接到0.9V进行匹配,哪种匹配方式更好? 3、V4中,PCB LayOut时,DDR2线路阻抗单端为50欧,差分为100欧?Hyperlynx仿真时,那些参数必须要达到那些指标DDR2-667才能正常工作? 4、 若使用DDR2-667的SODIMM内存条,能否降速使用?比如降速到DDR2-400或更低频率使用? 5、板卡上有SODIMM的插座,又有8片内存颗粒,则物理上两部分是连在一起的,若实际使用时,只安装内存条或只安装8片内存颗粒,是否会造成信号完成性的影响?若有影响,如何控制? 6、SODIMM内存条(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)组合同时使用,构成一个(max:8GB)的DDR2单元?若能,则布线阻抗和FPGA的DCI如何控制?地址和控制线的TOP图应该怎样? 7、DDR2和FPGA(VREF pin)的参考电压0.9V的实际工作电流有多大?工作时候,DDR2芯片是否很烫,一般如何考虑散热? 8、由于多层板叠层的问题,可能顶层和中间层的铜箔不一样后,中间的夹层后度不一样时,也可能造成阻抗的不同。请教DDR2-667的SODIMM在8层板上的推进叠层?
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上传时间: 2013-10-12
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