射频功率放大器存在于各种现代无线通信系统的末端，所以射频功率放大器性能的优劣直接影响到整个通信系统的性能指标。如何在兼顾效率的前提下提高功放的线性度是近年来国内外的研究热点，在射频功率放大器的设计过程中这是非常重要的问题。 作为发射机末端的重要模块，射频功率放大器的主要任务是给负载天线提供一定功率的发射信号，因此射频功率放大器一般都工作在大信号条件下。所以设计射频功率放大器时，器件的选型和设计方式都和一般的小信号放大器不同，尤其在宽带射频功率放大器的设计过程中，由于工作频带很宽，且要综合考虑线性度和效率问题，所以射频功率放大器的设计难度很大。 本文设计了一个工作频带为30-108MHz，增益为25dB的宽带射频功率放大器。由于工作频带较宽，输出功率较大，线性度要求高；所以在实际的过程中采用了宽带匹配，功率回退等技术来达到最终的设计目标。 本文首先介绍了关于射频功率放大器的一些基础理论，包括器件在射频段的工作模型，使用传输线变压器实现阻抗变换的基本原理，S参数等，这些是设计射频功率放大器的基本理论依据。然后本文描述了射频功率放大器非线性失真产生的原因，在此基础上介绍了几种线性化技术并做出比较。然后本文介绍了射频功率放大器的主要技术指标并提出一种具体的设计方案，最后利用ADS软件对设计方案进行了仿真。仿真过程包括两个步骤，首先是进行直流仿真来确定功放管的静态工作点，然后进行功率增益即S21的仿真并达到设计要求。
上传时间： 2013-07-27
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设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较，指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响；提出了一种片上变压器的设计方法，即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式，解决了在CMOS工艺中设计变压器时面临的寄生电阻过大及有效耦合长度不足等困难。设计的变压器在2～3 GHz频段内的损耗小于1．35 dB，其功率合成效率高达76 以上，适合多模多频段射频前端的应用。
上传时间： 2014-12-24
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(Ebook - Electronics) - Advanced Techniques In Rf Power Amplifier Design (Cripps 2002)射频功率放大器设计
标签： Electronics Techniques Amplifier Advanced
上传时间： 2013-12-24
上传用户：黄华强
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上传时间： 2021-11-10
上传用户：zhengtiantong
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上传时间： 2021-11-10
上传用户：fliang
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上传时间： 2021-11-13
上传用户：zhengtiantong
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上传时间： 2021-12-05
上传用户：得之我幸78
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上传时间： 2021-12-08
上传用户：kingwide
射频功率放大器在通信系统中已经得到大量应用，在实现信号放大功能中属于关键性构成组件部分。研制射频功率放大器必须要符合诸多的指标，而且不可缺少的一项就是稳定性。射频功率放大器是一种高频信号放大器，存在显著的内部无源元件寄生效应，放大器传输信号期间，可以导致信号源阻抗或负载阻抗等不能良好地匹配于放大器网络的现象，加之其他因素的影响，会容易让射频功率放大器出现正反馈，由此引发自激振荡，严重情况下损坏到设备。鉴于此，文章在分析射频功率放大器稳定性的基础上进行科学的设计，防止产生严重的损失问题，给实践工作提供有价值的指导。
标签： 射频功率放大器
上传时间： 2022-06-16
上传用户：默默
射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用，是现代无线通信的关键设备.与传统的行被放大器相比，射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点；由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要，使得功率放大器的研制变得十分重要，因此对该课题的研究具有非常重要的意义.设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力，但其价格昂贵，工艺一致性差；CMOS工艺的功率输出能力不大，很难应用于高输出功率的场合；而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAS和CMOS工艺之间，价格相对低廉并和CMOS电路兼容，非常适合于中功率应用场合.本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现，分别使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三种工艺.（1）由SMIC 0.18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2.4GHz，采用了两级共源共栅电路结构，在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右，1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面积为1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5.25GHz，分为前置推动级和末级功率级，电源电压为3.3V，仿真结果为小信号增益28dB左右，1dB压缩点处输出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大饱和输出功率为29.5dBm，芯片面积为1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27-32GHz，使用了三级功率放大器结构，在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大饱和输出功率为29.9dBm且PAE大于25%，芯片面积为2.76mm"1.15mm.论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程，对三种工艺实现的功率放大器进行了对比，并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。
上传时间： 2022-06-20
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