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内存

内存(Memory)是计算机的重要部件，也称内存储器和主存储器，它用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。它是外存与CPU进行沟通的桥梁，计算机中所有程序的运行都在内存中进行，内存性能的强弱影响计算机整体发挥的水平。只要计算机开始运行，操作系统就会把需要运算的数据从内存调到CPU中进行运算，当运算完成，CPU将结果传送出来。

  • 第2章_内存映射1(mpc83xx中文翻译)

    powerpc处理器 MPC8313ERM.pdf 第2章_内存映射1(mpc83xx中文翻译)

    标签： mpc 83 xx 内存映射

    上传时间： 2013-08-06

    上传用户：gps6888

  • DDR内存布线指导,DDR_Layout_Guide_[1]..

    DDR内存布线指导,DDR_Layout_Guide。

    标签： DDR_Layout_Guide DDR 内存 布线

    上传时间： 2013-10-17

    上传用户：胡萝卜酱

  • 高速PCB基础理论及内存仿真技术

    高速PCB基础理论及内存仿真技术

    标签： PCB 内存 仿真技术

    上传时间： 2013-11-04

    上传用户：离殇

  • [高速PCB基础理论及内存仿真技术].佚名.文字版

    高速PCB基础理论及内存仿真技术

    标签： PCB 内存 仿真技术

    上传时间： 2014-12-23

    上传用户：超凡大师

  • DRAM内存模块的设计技术

    第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。

    标签： DRAM 内存模块 设计技术

    上传时间： 2014-01-13

    上传用户：euroford

  • 内存烧写使用说明和烧录软件

    内存烧写使用说明和烧录软件

    标签： 内存烧写 使用说明 烧录软件

    上传时间： 2014-01-22

    上传用户：yl1140vista

  • MCS51单片机内存图

    MCS51单片机内存图

    标签： MCS 51 单片机 内存

    上传时间： 2013-12-17

    上传用户：猫爱薛定谔

  • 实时单片机通讯网络中的内存管理

    摘要! 为提高单片机通讯的实时性" 采用了动态的内存管理方法" 并将其应用到AUTO2000DCS, 系统中" 获得了满意的效果 关键词! 动态分区静态分区最先适应法内存表

    标签： 单片机 内存管理 通讯网络

    上传时间： 2013-10-19

    上传用户：yangqian

  • S3C2410内存管理单元MMU基础实验

    (11)实验十一：MMU 在理论上概括或解释MMU，这不是我能胜任的。我仅基于为了理解本实验中操作MMU的代码而对MMU做些说明，现在先简单地描述虚拟地址(VA)、变换后的虚拟地址(MVA)、物理地址(PA) 之间的关系： 启动MMU后，S3C2410的CPU核看到的、用到的只是虚拟地址VA，至于VA如何最终落实到物理地址PA上，CPU是不理会的。而caches和MMU也是看不见VA的，它们利用VA变换得来的MVA 去进行后续操作——转换成PA去读/写实际内存芯片，  

    标签： S3C2410 MMU 内存 管理单元

    上传时间： 2013-10-17

    上传用户：jhs541019

  • 深入了解内存

    内存知识

    标签： 内存

    上传时间： 2013-10-22

    上传用户：w50403

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