采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
薄膜硅电池生产线的问题 •设备投资过大 •技术升级过快 •生产工艺不成熟 •电池效率仍较低 •电池的长期寿命有待验证(电池的稳定性仍不好)
上传时间： 2014-12-24
上传用户：ruan2570406
1． 对薄膜形成与生长中相关物理过程及现象进行分析和建模。 2． 利用蒙特卡罗（Monte Carlo）方法和分子动力学（Molecular Dynamics）方法对薄膜形成与生长过程进行计算机模拟。 3． 对多孔硅形成的模拟。
标签： Molecular Dynamics Monte Carlo
上传时间： 2015-09-04
上传用户：Divine
硅稳压管
上传时间： 2013-08-02
上传用户：eeworm
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