AVR单片机技术原理 AVR单片机介绍 单片机又称单片微控制器，它是把一个计算机系统集成到一个芯片上，概括的讲：一块芯片就成了一台计算机。单片机技术是计算机技术的一个分支,是简易机器人的核心元件。 1997年,由ATMEL公司挪威设计中心的A先生与V先生利用ATMEL公司的Flash新技术, 共同研发出RISC精简指令集的高速8位单片机，简称AVR。[编辑本段]AVR单片机的优势特征 单片机已广泛地应用于军事、工业、家用电器、智能玩具、便携式智能仪表和机器人制作等领域，使产品功能、精度和质量大幅度提升，且电路简单，故障率低，可靠性高，成本低廉。单片机种类很多，在简易机器人制作和创新中，为什么选用AVR单片机呢？ 一、简便易学，费用低廉 首先，对于非专业人员来说，选择AVR单片机的最主要原因，是进入AVR单片机开发的门槛非常低，只要会操作电脑就可以学习AVR单片机的开发。单片机初学者只需一条ISP下载线，把编辑、调试通过的软件程序直接在线写入AVR单片机，即可以开发AVR单片机系列中的各种封装的器件。AVR单片机因此在业界号称“一线打天下”。 其次，AVR单片机便于升级。AVR程序写入是直接在电路板上进行程序修改、烧录等操作，这样便于产品升级。 再次，AVR单片机费用低廉。学习AVR单片机可使用ISP在线下载编程方式(即把PC机上编译好的程序写到单片机的程序存储器中)，不需购买仿真器、编程器、擦抹器和芯片适配器等，即可进行所有AVR单片机的开发应用，这可节省很多开发费用。程序存储器擦写可达10000次以上，不会产生报废品。 二、高速、低耗、保密 首先，AVR单片机是高速嵌入式单片机： 1、AVR单片机具有预取指令功能，即在执行一条指令时，预先把下一条指令取进来，使得指令可以在一个时钟周期内执行。 2、多累加器型，数据处理速度快。AVR单片机具有32个通用工作寄存器，相当于有32条立交桥，可以快速通行。 3、中断响应速度快。AVR单片机有多个固定中断向量入口地址，可快速响应中断。 其次，AVR单片机耗能低。对于典型功耗情况，WDT关闭时为100nA，更适用于电池供电的应用设备。有的器件最低1.8 V即可工作。 再次，AVR单片机保密性能好。它具有不可破解的位加密锁Lock Bit技术，保密位单元深藏于芯片内部，无法用电子显微镜看到。 三、I/O口功能强,具有A/D转换等电路 1. AVR单片机的I/O口是真正的I/O口，能正确反映I/O口输入/输出的真实情况。工业级产品，具有大电流(灌电流)10～40 mA,可直接驱动可控硅SCR或继电器，节省了外围驱动器件。 2. AVR单片机内带模拟比较器，I/O口可用作A/D转换，可组成廉价的A/D转换器。ATmega48/8/16等器件具有8路10位A/D。 3. 部分AVR单片机可组成零外设元件单片机系统，使该类单片机无外加元器件即可工作，简单方便，成本又低。 4. AVR单片机可重设启动复位,以提高单片机工作的可靠性。有看门狗定时器实行安全保护,可防止程序走乱(飞),提高了产品的抗干扰能力。 四、有功能强大的定时器/计数器及通讯接口 定时/计数器T/C有8位和16位,可用作比较器。计数器外部中断和PWM(也可用作D/A)用于控制输出，某些型号的AVR单片机有3～4个PWM，是作电机无级调速的理想器件。 AVR单片机有串行异步通讯UART接口,不占用定时器和SPI同步传输功能,因其具有高速特性，故可以工作在一般标准整数频率下,而波特率可达576K。
上传时间： 2013-10-18
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按键控制步进电机正反转，此为电子显微镜载物台三维控制设计
上传时间： 2013-12-31
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近年来，对器件的失效分析已经成为电力电子领域中一个研究热点。本论文基于现代电力电子装置中应用最广的IGBT器件，利用静态测试仪3716，SEM（Scanning Electrom Microscope，扫描电子显微镜）、EDX（Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy、能量色散x射线光谱仪）、FIB（Focused lon beam，聚焦高子束）切割、TEM（Thermal Emmision Microscope，高精度热成像分析仪）等多种分析手段对模块应用当中失效的1GBT芯片进行电特性分析、芯片解剖并完成失效分析，并基于相应的失效模式提出了封装改进方案。1，对于栅极失效的情况，本论文先经过电特性测试完成预分析，并利用THEMOS分析出栅极漏电流通路，找到最小点并进行失效原因分析，针对相应原因提出改进方案。2，针对开通与关断瞬态过电流失效，采用研磨、划片等手段进行芯片的解剖。并用SEM与EDX对芯片损伤程度进行评估分析，以文献为参考进行失效原因分析，利用saber仿真进行失效原因验证。3，针对通态过电流失效模式，采用解剖分析来评估损伤情况，探究失效原因，并采用电感钳位电路进行实验验证。4，针对过电压失效模式，采用芯片解剖方式来分析失效点以及失效情况，基于文献归纳并总结出传统失效原因，并通过大量实验得出基于封装的失效原因，最后采用saber仿真加以验证。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-21
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本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分，介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围，然后根据实验分析了TEM图片，包括GaN多量子阱，重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图形，分析了他们对材料属性的影响。然后分析了多种氮化擦样品的光致发光谱和电致发光谱，并解释其光谱蓝移和红移现象。在属性部分最后介绍了基于密度泛函理论和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料属性上的应用。在芯片结构设计部分，本文提出了三种高效率LED芯片的设计结构，分别是基于双光子晶体的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剥离衬底的大功率LED芯片。涉及到光子晶体理论，蒙特卡罗理论及激光剥离理论，本文分别介绍和分析了各类理论基础，并在此基础上提出新的设计结构，给出仿真分析结果。双光子晶体可以提供较完善的反射层，出射层。微球LED可以利用大尺寸表面结构来大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剥离衬底的大功率LED可以实现较好散热效果和功率。
标签： led
上传时间： 2022-06-25
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从典型的表面贴装工厂的实践来看，半导体失效原因主要分为与材料有关的失效、与工艺有关的失效，以及电学失效。通常与材料和工艺有关的失效发生的较为频繁，而且失效率很高，但是占有90%以上的失效并不是真正的失效，有经验的工艺工程师和失效分析工程师可以通过 射线焊点检测仪、扫描电子显微镜、能量分散谱、于同批产品交叉试验就可以确定失效与否，从而找到真正的原因。本文基于摩托罗拉汽车电子厂的实践简要介绍前两种失效形式，着重研究电学失效的特点和形式，前两种失效形式往往需要靠经验来判断，而电学失效更需要一定的理论知识给与指导分析。电学失效中，首先介绍芯片失效分析手段、分析程序，以及国内外失效分析实验室设备情况，在电学失效分析中所面临的最大挑战是失效点的定位和物理分析，在摩托罗拉汽车电子厂实践中发现，对产品质量影响最主要的是接孔（Via）失效，它是汽车整车装配厂客户的主要抱怨以及影响产品可靠性导致整车召回的主要原因之一。本文基于接孔失效实际案例中的统计数据，讨论了接孔失效的失效分布状态函数，回归了威布尔曲线，计算出分布参数m和c：在阿列里乌斯（Arhenius）失效模型的基础上建立了接孔失效模型，并计算模型参数温度寿命加速因子，从而估算出受器件影响的产品的寿命。本文目的旨在基于表面贴装工厂的具体芯片失效统计数据，进行实际工程的失效分析，探索企业建立失效分析以控制产品质量、提高产品可靠性的机制
标签： 半导体芯片
上传时间： 2022-06-26
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电子技术
标签： 电子技术
上传时间： 2013-07-21
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数字电子技术电子教案 PPT格式
上传时间： 2013-04-15
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电力电子技术课件 PPT版
标签： 电力电子技术
上传时间： 2013-04-15
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电工电子技术实验 太原理工 PPT版
上传时间： 2013-05-22
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山东医学院 医学电子仪器原理与技术 PPT版
标签： 电子仪器原理
上传时间： 2013-05-30
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