低功耗霍尔开关（全极性霍尔传感器148），用于手机、电筒、小灵通、无绳电话、Notebook笔记本电脑、PDA翻盖电路，智能远传水表、智能远传气表计数等…… 替A3212，HAL148由HALLWEE出品，可用于替代MLX90248，HAL148可替代AH3661，AH18——MH248等，现在在电池供电产品中得到广泛应用，有利于延长寿命。 小电流霍尔传感器 HAL148全极霍尔开关 低功耗霍尔元件 一、148霍尔开关特性： HAL148霍尔开关分为HAL148和HAL148L，其中148L为低电压型霍尔开关，工作电压为1.6－3.6V，HAL148为2.4至5.5V，其他参数都相同。 ·磁开关点的高灵敏度高稳定性 ·抗机械应力强 ·无极性的开关 二、HAL148低功耗霍尔元件提供了一个受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源，同时这个受控时钟机制可以发出控制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式。HAL148全极霍尔开关是一款基于混合信号CMOS技术的无极性霍尔开关，这款IC采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。 本产品出HALLWEE出品，Hallwee是一种磁感应元件，霍尔效应器件的品牌，其主要经营霍尔元件，如：霍尔开关、线性霍尔。 欢迎致电0755-25910727！
上传时间： 2013-10-22
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专辑类-器件数据手册专辑-120册-2.15G 场效应管替换手册-1429页-PDF版.pdf
上传时间： 2013-07-21
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专辑类-器件数据手册专辑-120册-2.15G Tmos功率场效应晶体管原理和应用-292页-9.9M.pdf
上传时间： 2013-07-06
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专辑类-器件数据手册专辑-120册-2.15G 最新世界场效应管特性代换手册-951页-10.6M.pdf
上传时间： 2013-05-23
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专辑类-器件数据手册专辑-120册-2.15G VMOS功率场效应晶体管及其应用-225页-3.2M.pdf
上传时间： 2013-04-24
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电压源型PWM逆变器在当前的工业控制中应用越来越广泛，在其应用领域中，交流电动机的运动控制是其很重要的组成部分。在PWM逆变器的控制过程中，设置死区是为了避免逆变器的同一桥臂的两个功率开关器件发生直通短路。尽管死区时间很短，然而当开关频率很高或输出电压很低时，死区将使逆变器输出电压波形发生很大畸变，进而导致电动机的电流发生畸变，电机附加损耗增加，转矩脉动加大，最终导致系统的控制性能降低，甚至可能导致系统不稳定。为此，需要对逆变器的死区进行补偿。本文针对连续空间矢量调制提出了一种改进的减小零电流钳位和寄生电容影响的死区效应补偿方法；针对断续空间矢量调制提出了通过改变空间矢量作用时间，来改变驱动信号脉冲宽度的补偿方法，并对这两种方法进行了理论分析和仿真研究。 本文首先详细分析了死区时间对逆变器输出电压和电流的影响，以及功率开关器件寄生电容对输出电压的影响。其次对已提出的减小零电流钳位和寄生电容影响的死区效应补偿方法进行了理论分析，该方法先计算出补偿电压，再对由零电流钳位现象引起的补偿电压极性错误进行校正，极性校正的参考量为d轴补偿电压的幅值，然而补偿电压的大小随电流的变化而变化，因此该方法存在电压极性校正时参考量为变化量的缺点，而且该方法只适用于id=0的控制方式，适用性较差。针对这些问题，本文提出了改进的减小零电流钳位和寄生电容影响的补偿方法，改进后的方法是先对由零电流钳位现象引起的电流极性错误进行校正，然后再计算补偿电压的大小，电流极性校正时的参考量为三相电流极性函数转化到γ-坐标系的函数sγ的幅值，sγ的幅值与补偿电压大小无关为恒定值，而且适用于任何控制方式，适应性强。再次把改进的减小零电流钳位和寄生电容影响的死区效应补偿方法应用到PMSM矢量控制系统中，采用MATLAB和Pspice两种方法进行了仿真研究，仿真结果验证了补偿方法的有效性。对两种仿真结果的对比分析，表明PSpice模型能更好的模拟逆变器的非线性特性。 最后，文章分析了连续空间矢量调制和断续空间矢量调制的输出波形的区别和死区对两种波形影响的不同。针对DSP芯片TMS320LF2407A硬件产生的断续SVPWM波，提出了根据电压矢量和电流矢量的相位关系，通过改变空间矢量作用时间，来改变驱动信号脉冲宽度，对其进行死区补偿的方法。给出了基本空间矢量作用时间调整的实现方法，并建立了MATLAB仿真模型，进行仿真研究，仿真结果验证了补偿方法的正确性和有效性。
上传时间： 2013-06-04
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二三极管场效应管代码查询，供选择器件时使用。
上传时间： 2013-07-11
上传用户：上善若水
目前，在伺服控制系统中，通常采用三相电压型逆变器来驱动伺服电机。桥式电路中为避免同一桥臂开关器件的直通现象, 必须插入死区时间。死区时间和开关器件的非理想特性往往会造成输出电压、电流的畸变，从而造成电机转矩的脉动，影响系统工作性能。因此，必须对电压型逆变器中的死区效应进行补偿。
上传时间： 2013-04-24
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闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻通路，大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路
上传时间： 2013-10-20
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器件数据手册专辑 120册 2.15GTmos功率场效应晶体管原理和应用 292页 9.9M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
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