主要特点管脚完全与三星9454兼容8位CISC型内核(MC05)4K byte OTP ROM208 byte RAM3组IO口(最多可支持17个通用IO口和1个输入口)1个PWM输出1个8位基本定时器1个8位带比较输出的定时器1个10位ADC(9路输入)2个外中断、1个定时器中断、1个PWM中断看门狗复位功能3V低压复位可选晶振/RC振荡晶振400K-8MHzRC振荡有3.2MHz(@5V,typ.)、8MHz(@5V,typ.)、外接电阻电容3种可选
上传时间: 2013-11-05
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主要特点管脚完全与三星9454兼容8位CISC型内核(MC05)4KbyteOTPROM208byteRAM3组IO口(最多可支持17个通用IO口和1个输入口)1个PWM输出1个8位基本定时器1个8位带比较输出的定时器1个10位ADC(9路输入)2个外中断、1个定时器中断、1个PWM中断看门狗复位功能3V低压复位可选晶振/RC振荡晶振400K-8MHzRC振荡有3.2MHz(@5V,typ.)、8MHz(@5V,typ.)、外接电阻电容3种可选工作电压2.2-5.5V(工作频率400K-4MHz)2.4-5.5V(工作频率4M-8MHz)工作温度-40-85℃封装形式:MC10P2320S:SOP20MC10P2320D:DIP20MC10P2316S:SOP16MC10P2316D:DIP20MC10P2308S:SOP8MC10P2308D:DIP8
上传时间: 2014-01-19
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常用三星单片机烧写电压设置参考表 烧写电压说明:Vdd 电压指烧写时加载到芯片Vdd 端子的逻辑电压,Vpp 电压指烧写时加载到芯片Vpp(Test)端子的编程电压, Vpp=12V 是编程器的默认烧写电压,无须特别设置. 由于编程器的默认输出Vpp 电压均为12V,因此在烧写Vpp=3.3V/5.0V 的芯片时,需要对烧写转换适配器作以下改动:将烧写器烧写座引出的Vpp 端子完全空置不用, 并在适配器上将Vdd端子直接连接Vpp 端即可.当用户采用在PCB板上烧写方式时,建议最好能在PCB芯片端的Vpp脚并接一个104 的电容入地,可有效保护在烧写电压加载时板子电路共同作用产生的瞬间过压脉冲不会输入到Vpp 脚而造成Vpp 击穿.S3F84K4 烧写特别说明,由于三星半导体DATA SHEET 要求在对该芯片进行烧写时,须在Vpp 脚加接一个101 的电容到地,因此在使用我站各款烧写器烧写84K4 时,须将烧写器主板上的Vpp 端原来并接的10uf/50V-电解电容和104 电容去掉,另行并接一个101 电容入地即可.不过,据本人特别测试结果,其实不做以上处理对烧写过程没有任何影响, 估计可能是三星半导体对芯片有做过改版,老版本的84K4 才会有以上特别要求,新版本是没有这个要求的.
上传时间: 2013-10-10
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表贴电容元件参数手册:105 个PDF文件,文件:ME、MH、MP、MT铝电解电容;TDK-CKCL、三星、松下、高射频功率、普军级二类军用无包封多层片式等多种系列表贴电容
上传时间: 2016-08-12
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东莞琪亚电子(电容样本) ++ 已上传
上传时间: 2013-06-04
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世纪红产品样本(铝电解电容)
上传时间: 2013-05-22
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泉州火炬电子产品样本(贴片电阻,电容,电感) PDF格式 ++
上传时间: 2013-07-22
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村田制作样本 电阻,电容,光电,传感等 ++
上传时间: 2013-06-16
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火炬 电阻电容电感样本
上传时间: 2013-05-31
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常州华威电子 电解电容样本
上传时间: 2013-07-14
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