摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度，对功率mosfet开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的MoSFET驱动电路具有指导意义．
上传时间： 2013-11-10
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本文是关于电路中的 BJT 与 mosfet开关应用的讨论。 前段时间，一同学跟我说，他用单片机做了一个简单的 LED 台灯，用 PWM的方式控制灯的亮度，但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一，我问他3V 时 LED 的发光电流是多大，他说大概十几到二十 mA，我又问他电阻多大，他说 10KΩ。于是我笑笑说你把电阻小一点就好了。他回去一试，说用了个 1KΩ的电阻，就没有任何问题了。 我很失望他没有问我为什么要这么做，这可能是大多数电子爱好初学者存在的问题，他们的动手能力很强，但是并不注重基本的理论知识。他们大多数情况下都是“依葫芦画瓢”，借用现成的电路使用，就连参数和器件型号的选择都疏于考虑。
上传时间： 2013-11-02
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单开关(或称单晶体管)正激转换器是一种最基本类型的基于变压器的隔离降压转换器，广泛用于需要大降压比的应用。这种转换器的优点包括只需单颗接地参考晶体管，及非脉冲输出电流减小输出电容的均方根纹波电流含量等。但这种转换器的功率能力小于半桥或全桥拓扑结构，且变压器需要磁芯复位，使这种转换器的最大占空比限制在约50%。此外，金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)开关的漏电压变化达输入电压的两倍或更多，使这种拓扑结构较难于用在较高输入电压的应用。
上传时间： 2013-12-22
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设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产生振荡的原因,并提出了抑制措施,对功率MOSFET的驱动设计具有一定的指导意义。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.
标签： mosfet
上传时间： 2022-04-02
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MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf 理解功率-理解功率MOSFET管的电流.pdf 何种应用条件要考虑MOSFET雪崩能量.doc 66KB2019-10-08 11:34 反激式电源中MOSFET的钳位电路.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 (核心)MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf 762KB2019-10-08 11:34 MOS管驱动电阻怎么选择.doc 254KB2019-10-08 11:34 采用电压箝位控制实现串联IGBT的动态均压.pdf 868KB2019-10-08 11:34 MOSFET驱动器与MOSFET栅极电荷匹配设计.pdf 理解MOSFET的每个特性参数的分析.pdf 读懂并理解MOSFET的Datasheet.pdf 2M2019-10-08 11:34 功率MOSFET并联驱动特性分析.pdf 592KB2019-10-08 11:34 功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析.pdf 118KB2019-10-08 11:34 MOS管驱动电阻怎么选择.pdf 1009KB2019-10-08 11:34 并联MOSFET的雪崩特性分析.doc 229KB2019-10-08 11:34 MOSFET并联技术 -2019-10-08 11:34 IGBT -2019-10-08 11:34 MOSFET驱动电阻功耗讨论-综合电源技术-世纪电源网社区.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOS管与三极管的区别作用特性参数.pdf 2.3M2019-10-08 11:34 MOSFET驱动方式详解.pdf 592KB2019-10-08 11:34 (核心)mosfet开关详细过程.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 关于MOSFET驱动电阻值的计算.doc 80KB2019-10-08 11:34 理解功率MOSFET的电流.pdf 1.8M2019-10-08 11:34 IR系列MOS驱动ic中文应用手册.pdf 5.5M2019-10-08 11:34 功率MOSFET和IGBT.pdf 1.5M2019-10-08 11:34 如何确定MOSFET的驱动电阻.pdf 977KB2019-10-08 11:34 张兴柱之MOSFET分析.pdf 1.6M2019-10-08 11:34 MOSFET驱动电路设计参考.pdf 369KB2019-10-08 11:34 MOSFET的雪崩能量与器件的热性能.doc 264KB2019-10-08 11:34 mos管的最大持续电流是如何确定.pdf 929KB2019-10-08 11:34 (核心)功率MOSFET的特性.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOSFET选型手册(ALPHA&OMEGA).pdf …………
上传时间： 2013-07-01
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针对开关电源中的整流电路和其本身的非线性负载特性产生大量谐波污染公共电网问题，提出了一种高功率因素校正电路。采用英飞凌（Infineon）公司的CCM控制模式功率因素校正芯片ICE2PCS01控制驱动mosfet开关管，并与升压电感、输出电容等组成Boost拓扑结构，输入电流与基准电流比较后的误差电流经过放大，再与PWM波比较，得到开关管驱动信号，快速而精确地使输入电流平均值与输入整流电压同相位，接近正弦波。结果表明，该电路方案能大大减小输入电流的谐波分量，在AC176V-264V的宽电压输入范围内得到稳定的DC380V输出，功率因素高达0.98。
上传时间： 2014-01-25
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怎样判断IGBT MOS管的好坏？怎么检测它的引脚？IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡，用万用表测量时， 若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大， 则判断此极为栅极（G ）。其余两极再用万用表测量， 若测得阻值为无穷大， 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C）；黑表笔接的为发射极（E）。2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ 挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（ E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（ G）和发射极（ E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。3、注意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ 挡，因R×1KΩ 挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（ P-MOSFET ）的好坏。现在经常要检测MOS 管了，转几篇MOS 管的检测方法，以备随时观摩！用万用表检测MOS 开关管好坏的方法一、MOS 开关管针脚判断：在电脑上， MOS 管都是N 沟道增强型的MOSFET 开关管， 大部分都采用TO－220F 封装，其针脚判断方法是：将针脚向下，印有型号的面向自己，左边的是栅极，中间是漏极，右边是源极。
上传时间： 2022-06-22
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大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
上传时间： 2013-04-15
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专辑类-开关电源相关专辑-119册-749M 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术.pdf
上传时间： 2013-06-22
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以C8051F330为核心,开发单端正激型开关电源充电器,C8051F330负责电流环及电压环采样及对应脉宽PWM输出,控制主电路MOSFET管,构成负反馈.
上传时间： 2013-12-25
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