模块使用外部滤波器回路来抑制信号抖动和电磁干扰。滤波器回路由PLL接在滤波器输入引脚PLLF和PLLF2之间的电阻Rl和电容Cl、C2组成。电容 Cl、C2必须为无极性电容。在不同的振荡器频率下，R1、Cl、C2的取值不同，常用的参数组合如表l所列。PLL模块的电源引脚PLLVCCA分别通过磁珠和0.1μF的电容与数字电源引脚VDD和数字地引脚VSS连接，构成低通滤波电路，保证时钟模块的可靠供电。模块使用外部滤波器回路来抑制信号抖动和电磁干扰。滤波器回路由PLL接在滤波器输入引脚PLLF和PLLF2之间的电阻Rl和电容Cl、C2组成。电容 Cl、C2必须为无极性电容。在不同的振荡器频率下，R1、Cl、C2的取值不同，常用的参数组合如表l所列。PLL模块的电源引脚PLLVCCA分别通过磁珠和0.1μF的电容与数字电源引脚VDD和数字地引脚VSS连接，构成低通滤波电路，保证时钟模块的可靠供电。
上传时间： 2014-01-07
上传用户：ikemada
RC/RL/LC电路的时间常数计算公式,主要用于电路设计时的RCL参数计算
上传时间： 2016-09-22
上传用户：924484786
This is an Real-Time Library (RL-ARM) Flash File System file manipulation example.
标签： manipulation Real-Time Library example
上传时间： 2014-11-29
上传用户：youlongjian0
一个CHM文件 里面用中文说明了KEIL MDK RL下面的各个函数的用法，E文不好，KEIL ARM又常使用的朋友，很方便。
上传时间： 2013-06-03
上传用户：dhb717
基于MDK RTX 的COrtex—M3 多任务应用设计 武汉理工大学 方安平 武永谊 摘要：本文描述了如何在Cortex—M3 上使用MDK RL—RTX 的方法，并给出了一个简单的多任务应用设计。 关键词：MDK RTX，Cortex，嵌入式，ARM， STM32F103VB 1 MDK RL—RTX 和COrtex—M3 概述 MDK 开发套件源自德国Keil 公司，是ARM 公司目前最新推出的针对各种嵌入式处理器 的软件开发工具。MDKRL—IUX 是一个实时操作系统(RTOS)内核，完全集成在MDK 编译器中。广泛应用于ARM7、ARM9 和Cortex-M3 设备中。它可以灵活解决多任务调度、维护和时序安排等问题。基于RL—I 订X 的程序由标准的C 语言编写，由Real—View 编译器进行编译。操作系统依附于C 语言使声明函数更容易，不需要复杂的堆栈和变量结构配置，大大简化了复杂的软件设计，缩短了项目开发周期。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：Yue Zhong
分析并设计实现了一种基于磁耦合谐振的无线电能传输系统。介绍了无线电能传输技术，阐述了磁耦合谐振式无线电能传输技术原理及其优越性，分析了磁耦合谐振无线电能传输系统中传输距离d及负载阻值RL等相关参数对系统传输功率、效率的影响。对所提出的无线电能传输系统进行实验测试，实验结果表明，需综合考虑上述相关参数，以达到传输效率、传输功率的最优化设计。同时验证了理论分析的有效性。
上传时间： 2014-01-04
上传用户：集美慧
提出一种虚拟阻抗模型的电流互感器饱和判别方法, 它可以有效地识别区内外故障因电流互感器( TA) 饱和对差动保护的影响。在电力系统的线路、母线、主设备等一些差动保护中, 区外故障时, 在大的短路电流作用下TA 饱和容易造成保护误动。基于RL 模型的短数据窗算法可以测得保护安装点的二次等效系统阻抗, 它可以等效到在系统故障增量模型中虚拟一条阻抗支路。区内外故障TA 饱和时, 该支路虚拟阻抗会发生明显的变化。分析该阻抗在TA 饱和与否情况下的变化规律, 利用这种变化规律可以可靠、灵敏地判别出区内外故障TA 饱和, 是否闭锁差动保护, 提高差动保护的可靠性。
上传时间： 2013-12-11
上传用户：杜莹12345
自己在学校的时候做的一些单片机仿真实例和一些资料，希望对大家有些帮助
上传时间： 2013-11-08
上传用户：oojj
摘要:采用单片机C语言作为编程语言，介绍一种基于DEI1016的四发八收智能型ARINC429接rl板的嵌人式实时软件设计方法;首先，简单地介绍了单片机C语言和开发流程，再详细地描述了软件的各个功能模块，最后总结了若干提高软件实时性的编程技巧和要点，这种设计方法，充分发挥了C语言在模块化、可读性、可维护性和可移植性上的优势，同时弥补了C语言执行效率不高的缺点。实践证明，用单片机C语言编写出的嵌人式软件能很好地满足接口板的高速数据传输功能的要求。关键词:DEI1016;单片机;C语言;实时性
上传时间： 2013-12-26
上传用户：CSUSheep
地弹的形成：芯片内部的地和芯片外的PCB地平面之间不可避免的会有一个小电感。这个小电感正是地弹产生的根源，同时，地弹又是与芯片的负载情况密切相关的。下面结合图介绍一下地弹现象的形成。 简单的构造如上图的一个小“场景”，芯片A为输出芯片，芯片B为接收芯片，输出端和输入端很近。输出芯片内部的CMOS等输入单元简单的等效为一个单刀双掷开关，RH和RL分别为高电平输出阻抗和低电平输出阻抗，均设为20欧。GNDA为芯片A内部的地。GNDPCB为芯片外PCB地平面。由于芯片内部的地要通过芯片内的引线和管脚才能接到GNDPCB，所以就会引入一个小电感LG，假设这个值为1nH。CR为接收端管脚电容，这个值取6pF。这个信号的频率取200MHz。虽然这个LG和CR都是很小的值，不过，通过后面的计算我们可以看到它们对信号的影响。先假设A芯片只有一个输出脚，现在Q输出高电平，接收端的CR上积累电荷。当Q输出变为低电平的时候。CR、RL、LG形成一个放电回路。自谐振周期约为490ps，频率为2GHz，Q值约为0.0065。使用EWB建一个仿真电路。（很老的一个软件，很多人已经不懈于使用了。不过我个人比较依赖它，关键是建模，模型参数建立正确的话仿真结果还是很可靠的，这个小软件帮我发现和解决过很多实际模拟电路中遇到的问题。这个软件比较小，有比较长的历史，也比较成熟，很容易上手。建议电子初入门的同学还是熟悉一下。）因为只关注下降沿，所以简单的构建下面一个电路。起初输出高电平，10纳秒后输出低电平。为方便起见，高电平输出设为3.3V，低电平是0V。（实际200M以上芯片IO电压会比较低，多采用1.5－2.5V。）
标签： 分
上传时间： 2013-10-17
上传用户：zhishenglu
