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AD级联过采样实验

  • flash 8.0开发的播放器

    flash 8.0开发的播放器,含有级联菜单,类似电视台,以及普通播放器的基本功能,很实用

    标签: flash 8.0 播放器

    上传时间: 2017-06-26

    上传用户:cazjing

  • 呕心沥血

    呕心沥血,74HC595 5片级联程序,已经在我的板子上应用

    标签:

    上传时间: 2014-01-02

    上传用户:hoperingcong

  • 数字信号处理作业

    数字信号处理作业,根据要求创建级联型和横截型序列函数

    标签: 数字信号处理

    上传时间: 2017-07-02

    上传用户:chenbhdt

  • 显示屏显示程序

    显示屏显示程序,用于从上位机接收汉字内码,处理转换成32字节显示到显示屏上,可以级联

    标签: 显示屏 显示程序

    上传时间: 2014-11-15

    上传用户:gyq

  • 用MYSQL作为数据库的BBS论坛

    用MYSQL作为数据库的BBS论坛,实现主题的发布,帖子的回复增加和级联删除等功能

    标签: MYSQL BBS 数据库 论坛

    上传时间: 2013-12-18

    上传用户:520

  • CH452A资料+程序

    键盘芯片扫描+程序应用CH452 是数码管显示驱动和键盘扫描控制芯片。 CH452 内置时钟振荡电路,可以动态驱动 8 位数 码管或者 64 位 LED, 具有 BCD 译码、 闪烁、 移位、 段位寻址、 光柱译码等功能; 同时还可以进行 64 键的键盘扫描; CH452 通过可以级联的 4 线串行接口或者 2 线串行接口与单片机等交换数据;并且可 以对单片机提供上电复位信号。

    标签: CH452A

    上传时间: 2015-03-12

    上传用户:obedient

  • 差分跳频系统编码器与频率转移函数的匹配设计

    将编码的差分跳频系统等效为串行级联码,充分利用频率转移函数所产生的网格关联信息, 采用软输入软输 算法,进行类Turbo串行迭代译码,能有效改善系统的误比特性能. 此,如何实现差 分跳频系统串行级联结构的外编码器和频率转移函数(( 函数)的匹配设计是值得深入研究的问题.基 于互信息的外信息转移图(ExIT)能有效预测迭代译码的收敛特性,并根据E xlT选择适当的内、外码 进行级联.采用基于互信息的Exn、用分析差分跳频串行级联结构中外编码器和G函数的外信息转移 过程,提出了一种采用ExIT图选择G函数及外编码器的方法.通过对陔l方法的理论分析和性能仿真, 结果表明,在一定的输入先验信息量条件下,信噪比越高,G函数输 互信息量越大;在给定信噪比条件 下,不同G 函数刘 应的输出互信息量随输入先验信息量增长速度不同,能有效实现对性能较好的G 函 数的选择;对于给定G甬数,在不同外编码方式下,通过E xlT阁能得到迭代译码收敛的门限值;能反应 出不同编码方式下的收敛特性的好坏,从而实现外编码器和G函数的匹配设计.

    标签: 南京大学学报

    上传时间: 2015-04-27

    上传用户:xiefuai

  • 关于差分跳频资料

    将编码的差分跳频系统等效为串行级联码,充分利用频率转移函数所产生的网格关联信息, 采用软输入软输 算法,进行类Turbo串行迭代译码,能有效改善系统的误比特性能. 此,如何实现差 分跳频系统串行级联结构的外编码器和频率转移函数(( 函数)的匹配设计是值得深入研究的问题.基 于互信息的外信息转移图(ExIT)能有效预测迭代译码的收敛特性,并根据E xlT选择适当的内、外码 进行级联.采用基于互信息的Exn、用分析差分跳频串行级联结构中外编码器和G函数的外信息转移 过程,提出了一种采用ExIT图选择G函数及外编码器的方法.通过对陔l方法的理论分析和性能仿真, 结果表明,在一定的输入先验信息量条件下,信噪比越高,G函数输 互信息量越大;在给定信噪比条件 下,不同G 函数刘 应的输出互信息量随输入先验信息量增长速度不同,能有效实现对性能较好的G 函 数的选择;对于给定G甬数,在不同外编码方式下,通过E xlT阁能得到迭代译码收敛的门限值;能反应 出不同编码方式下的收敛特性的好坏,从而实现外编码器和G函数的匹配设计.

    标签: G函数

    上传时间: 2015-04-27

    上传用户:xiefuai

  • tm1829

    不错的单线级联,41ma的3路LED恒流驱动

    标签: 1829 tm

    上传时间: 2020-12-23

    上传用户:

  • 第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战

    作者:何亮,刘扬论文摘要:氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ,非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ,具 有 十 分 广 阔 的 市场前景 。 S i衬 底 上 G a N 基 功 率 开 关 器 件 是 目 前 的 主 流 技 术 路 线 ,其 中 结 型 栅 结 构 (p 型 栅 )和 共 源 共 栅 级 联 结 构 (C asco de)的 常 关 型 器 件 已 经 逐 步 实 现 产 业 化 ,并 在 通 用 电 源 及 光 伏 逆 变 等 领 域 得 到 应 用 。但 是 鉴 于 以 上 两 种 器 件 结 构 存 在 的 缺 点 ,业 界 更 加 期 待 能 更 充 分 发 挥 G a N 性能的 “ 真 ” 常 关 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面实用 化 ,仍 然 面 临 着 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 稳 定 性 方 面 的 挑 战 。

    标签: 第三代半导体 GaN 功率开关器件

    上传时间: 2021-12-08

    上传用户:XuVshu