我公司生产的 USBkey 产品所使用的MCU 电路，自2007 年9 月初USBkey 产品开始量产化后，我们对其部分产品做了电老化试验，发现该款电路早期失效问题达不到我们要求，上电以后一段时间内失效率为千分之一点五左右。为此，我们从去年10 月到今年2 月对所生产的产品（已发出的除外）全部进行了电老化筛选，通过这项工作发现了一些规律性的东西，对提高电子产品的安全可靠性有一定指导意义。2 试验条件的设定造成电路早期失效的原因很多，从 IC 设计到半导体生产工艺、电路封装、焊接装配等生产工序和生产设备、生产材料、生产环境及人为的因素都有可能是成因，作为电路的使用方不可能都顾及到，也不可控。通过分析，我们认为还是着眼于该款电路在完成半导体生产工艺后，在后部加工中所产生的早期失效问题更有针对性。，因此决定从电路的后部加工工序即封装、COS 软件以及产品SMT 加工工艺等方面入手，安排几种比对试验并取得试验数据，以期找出失效原因。
上传时间： 2014-12-28
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TI DSP的发展同集成电路的发展一样,新的DSP都是3.3V的,但目前还有许多外围电路是5V的,因此在DSP系统中,经常有5V和3.3V的DSP混接问题。在这些系统中,应注意： 1)DSP输出给5V的电路（如D/A）,无需加任何缓冲电路,可以直接连接。 2)DSP输入5V的信号（如A/D）,由于输入信号的电压>4V,超过了DSP的电源电压,DSP的外部信号没有保护电路,需要加缓冲,如74LVC245等,将5V信号变换成3.3V的信号。 3)仿真器的JTAG口的信号也必须为3.3V,否则有可能损坏DSP。
上传时间： 2013-10-16
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利用动态密勒补偿电路解决LDO的稳定性问题:针对LDO稳压器的稳定性问题，设计了一种新颖的动态密勒补偿电路8与传统方法相比，该电路具有恒定的带宽，大大提高了系统的瞬态响应性能，同时将开环增益提高了，左右使6LDO稳压器具有较高的电压调整率和负载调整率。通过具体投片，验证了该方法的正确性和可行性。关键词：低压降稳压器，动态密勒补偿，稳定性，P型场效应管电容器
上传时间： 2013-10-24
上传用户：小宝爱考拉
本章主要介绍51系列单片机系统扩展问题，在本章中要研究较多的硬件方面及硬软结合方面的问题，本章与第一章关系密切，在学习本章内容之前，要先明确51系列单片机本身的系统资源，可先复习一下前面几章的有关单片机硬件组成方面的内容。 本章将介绍以下具体内容： 系统扩展的含义、单片机的地址总线和数据总线、常见系统扩展电路举例。§7.0 前言 1.系统扩展的含义 单片机中虽然已经集成了CPU、I/O口、定时器、中断系统、存储器等计算机的基本部件（即系统资源），但是对一些较复杂应用系统来说有时感到以上资源中的一种或几种不够用，这就需要在单片机芯片外加相应的芯片、电路，使得有关功能得以扩充，我们称为系统扩展（即系统资源的扩充）。 2.系统扩展分类----单一功能的扩展 综合功能的扩展3.系统扩展需要解决的问题---- 单片机与相应芯片的接口电路连接（即地址总线、数据总线、控制总线的连接）与编程。4.单片机的地址总线和数据总线 51系列单片机没有专用的对外地址总线和数据总线，其P0口和P2口既是通用I/O口，同时P0口还是分时复用的双向数据总线和低8位地址总线（一般需要加一级锁存器），而P2口则是高8位地址总线5.常见系统扩展电路（1）单一功能的系统扩展 存储器的扩展（程序存储器、数据存储器、E2PROM ） 外部中断源的扩展（简单门电路） 并行口的扩展（8155）（2）综合功能的扩展 外部RAM、定时器、并行口扩展（8155） 存储器、并行口、定时器扩展（多芯片）7.1.1 程序存储器的扩展.程序存储器的作用----存放程序代码或常数表格 .扩展时所用芯片----一般用只读型存储器芯片（可以是EPROM、E2PROM、 FLASH芯片等）。 .扩展电路连接 ---- 用EPROM 2764扩展程序存储器。 .存储器地址分析----究竟单片机输出什么地址值时，可以指向存储器中的某一单元。
上传时间： 2013-10-19
上传用户：zhaoq123
详细介绍仿真器与DSP开发一般常见问题若干
上传时间： 2013-10-20
上传用户：003030
做DSP最应该懂得157个问题
上传时间： 2013-10-16
上传用户：jelenecheung
第6章 FPGA设计中的基本问题
标签： FPGA
上传时间： 2013-11-06
上传用户：hongmo
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA来连接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM内存条选用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件选用8片MT47H512M8。设计目标：当客户使用内存条时，8片分立器件不焊接；当使用直接贴片分立内存颗粒时，SODIMM内存条不安装。请问专家：1、在设计中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管脚约束文件是否还可更改？若能更改，则必须要满足什么条件下更改？生成的约束文件中，ADDR，data之间是否能调换？ 2、对DDR2数据、地址和控制线路的匹配要注意些什么？通过两只100欧的电阻分别连接到1.8V和GND进行匹配 和 通过一只49.9欧的电阻连接到0.9V进行匹配，哪种匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut时，DDR2线路阻抗单端为50欧，差分为100欧？Hyperlynx仿真时，那些参数必须要达到那些指标DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM内存条，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低频率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片内存颗粒，则物理上两部分是连在一起的，若实际使用时，只安装内存条或只安装8片内存颗粒，是否会造成信号完成性的影响？若有影响，如何控制？ 6、SODIMM内存条(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)组合同时使用，构成一个(max:8GB)的DDR2单元？若能，则布线阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制线的TOP图应该怎样？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的参考电压0.9V的实际工作电流有多大？工作时候，DDR2芯片是否很烫，一般如何考虑散热？ 8、由于多层板叠层的问题，可能顶层和中间层的铜箔不一样后，中间的夹层后度不一样时，也可能造成阻抗的不同。请教DDR2-667的SODIMM在8层板上的推进叠层？
上传时间： 2013-10-12
上传用户：han_zh
通过了解RFID技术的基本功能，分析图书馆RFID应用的主要优势，突出新一代图书馆自助服务的理念。RFID图书馆具有快捷、方便的特点，但同时也潜在着众多的问题，只有继续完善并不断改进，图书馆RFID应用才可达到更好的服务效果。
上传时间： 2014-02-04
上传用户：gdgzhym
GPS卫星定位及若干问题的分析
上传时间： 2013-11-15
上传用户：黄华强
