CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方式存贮并以电荷转移的方式顺序输出，需要专用的工艺制程实现；CIS图像感光单元为光电二极管，可在通用CMOS集成电路工艺制程中实现，除此之外还可将图像处理电路集成，实现更高的集成度和更低的功耗。目前CCD几乎被日系厂商垄断，只有少数几个厂商例如索尼、夏普、松下、富士、东芝等掌握这种技术。CIS是90年代兴起的新技术，掌握该技术的公司较多，美国有OmniVision，Aptina；欧洲有ST；韩国的三星，SiliconFile，Hynix等；日本的SONY，东芝等；中国台湾的晶像；大陆地区的比亚迪，格科微等公司。由于CCD技术出现早，相对成熟，前期占据了绝大部分的高端市场。早期CIS与CCD相比，仅功耗与成本优势明显，因此多用于手机，PCCamera等便携产品。随着CIS技术的不断进步，性能不断提升；而CCD技术提升空间有限，进步缓慢。目前CIS不仅占据几乎全部的便携设备市场，部分高端DSC（DigitalStil Camera）市场，更是向CCD传统优势市场——监控市场发起冲击。下面就监控专用CIS与传统CCD进行综合对比。
上传时间： 2022-06-23
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1引言电荷耦合器CCD具有尺寸小、精度高、功耗低、寿命长、测量精度高等优点，在图像传感和非接触测量领域得到了广泛应用。由于CCD芯片的转换效率、信噪比等光电特性只有在合适的时序驱动下才能达到器件工艺设计所要求的最佳值，以及稳定的输出信号，因此驱动时序的设计是应用的关键问题之一。通用CCD驱动设计有4种实现方式：EPROM驱动法；IC驱动法；单片机驱动法以及可编程逻辑器件（PLD）驱动法。基于FPGA设计的驱动电路是可再编程的，与传统的方法相比，其优点是集成度高、速度快、可靠性好。若要改变驱动电路的时序，增减某些功能，仅需要对器件重新编程即可，在不改变任何硬件的情况下，即可实现驱动电路的更新换代。2CD1501DCCD工作参数及时序分析
上传时间： 2022-06-23
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机械工业是国民经济的装备部门，而标准化和计量测试是机械工业发展的基础和先决条件。在机械制造中，精密加工必须靠精密的测量手段来保证，加工精度的提供与计量技术的发展水平密切相关。测量与控制是促进科技发展的一个重要因素。CCD（Charge Coupled Device），电荷耦合器件，是70年代初发展起来的新型半导体器件，其设计思想是由美国贝尔实验室的Boyer与Smith于70年代提出]。二十多年来，CCD的研究取得了惊人的进展，特别是在传感器应用方面发展迅速，已成为现代光电子学与现代测试技术中最活跃、最富有成果的新兴领域之一。由于CCD具有自扫描、高分辨率、高灵敏度、重量轻、体积小、像素位置准确、耗电少、寿命长、可靠性好、信号处理方便、易于与计算机配合等优点，致使CCD光电尺寸测量的使用范围和特性比现有的机械式、光学式、电磁式量仪优越得多。特别值得注意的是CCD尺寸测量技术是一种非常有效的非接触检测方法，它使加工、检测和控制过程融为一体成为可能。利用CCD作为光敏感器件的激光三角法测量技术在非接触尺寸、位置测量中得到了广泛应用。它将激光束投射到被测物面所形成的漫反射光斑作为传感信号，用透镜成像原理将收集到的漫反射光汇集到CCD上形成像点，当入射光斑随被测物面移动时，成像点在CCD上作相应移动，根据象移大小和传感器的结构参数可以确定被测物面的位移量，若在物体两边同时测量就可以得到物体的厚度。
上传时间： 2022-06-23
上传用户：xsr1983
摘要：讨论了电磁兼容中的的接地技术，包括接地的种类和目的、接地方式、屏蔽地、设备地、系统地，其目的在于安全运行和提高电力电子设备的电磁兼容能力。关键词：接地技术；电磁兼容；干扰1引言接地技术最早是应用在强电系统（电力系统、输变电设备、电气设备）中，为了设备和人身的安全，将接地线直接接在大地上。由于大地的电容非常大，一般情况下可以将大地的电位视为零电位。后来，接地技术延伸应用到弱电系统中。对于电力电子设备将接地线直接接在大地上或者接在一个作为参考电位的导体上，当电流通过该参考电位时，不应产生电压降。然而由于不合理的接地，反而会引入了电磁干扰，比如共地线干扰、地环路干扰等，从而导致电力电子设备工作不正常。可见，接地技术是电力电子设备电磁兼容技术的重要内容之一，有必要对接地技术进行详细探讨。2接地的种类和目的电力电子设备一般是为以下几种目的而接地：2.1安全接地安全接地即将机壳接大地。一是防止机壳上积累电荷，产生静电放电而危及设备和人身安全；二是当设备的绝缘损坏而使机壳带电时，促使电源的保护动作而切断电源，以便保护工作人员的安全。
上传时间： 2022-06-25
上传用户：XuVshu
接地是电路或系统正常工作的基本技术要求之一，也是EMC性能高低之关键因素。在电子设备中，合理地应用接地技术，能抑制电磁噪声，大大提高系统的抗干扰能力，减少 EMI，并且良好的接地对电磁场有很好的屏蔽作用，能释放设备机壳上积累的大量的电荷，从而避免产生静电放电效应。在设计一个产品时，在设计期间就考虑到接地是最经济的方法。一个设计良好的接地系统，不仅从 PCB，而且能从系统的角度防止辐射和进行系敏感度的防护。有关接地系统所关心的重要领域包括：①通过对高频元件的仔细布局，减小电流环路的面积或使其极小化。②对PC 系统分区时，使高带宽的高频电路与低频电路分开。③设计PCB系统时，使干扰电流不通过公共的接地回路影响其他电路。
上传时间： 2022-06-26
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1、产品概述1.1模块简介元电荷电子出品的SYQ-NT7628/7688WIFI模块是一款基于MT7628NN/7688AN的低成本低功耗的物联网模块。该模块支持Linux和OpenWRT操作系统及自定义开发，是一体化的802.11b/g/n WIFI解决方案，可以广泛地适用于智能设备和云服务应用等，包括有线转无线、4G转WIFI、无线摄像头、硬AP、路由器、无线音箱、无线存储等。1.2主要应用领域·物联网应用·WIFI智能家居·WIFI安防监控·工业控制·消费类电子·有线转无线·4G转WIFI共享·无线摄像头·硬AP·路由器·无线音箱·无线存储·WIFI移动电源·便携式移动WIFI热点1.3模块特点本模块采用MT7628NV/7688AN方案，尺寸小，性能稳定。主要特点如下：（1）超小体积，长宽仅55mm×38mm。（2）2.0mm排针接口，方便安装。（3）可选陶瓷天线和I-PEX接口。（4）3.3V单电源供电。
标签： WIFI模块
上传时间： 2022-07-03
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DRV832X系列设备是集成门三相应用的驱动程序。设备提供三个半桥门驱动程序，每个驱动程序驱动高侧和低侧N通道功率MOSFET。DRV832X生成正确的门驱动电压使用集成电荷泵高压侧场效应晶体管和线性调节器低侧场效应晶体管。智能门驱动架构支持多达1-A源和2-A汇峰门驱动电流能力。DRV832X可以操作单电源供电，支持宽输入门驱动器的电源范围为6至60-V，4至60-V用于可选降压调节器。
标签： drv8320
上传时间： 2022-07-26
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MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf 理解功率-理解功率MOSFET管的电流.pdf 何种应用条件要考虑MOSFET雪崩能量.doc 66KB2019-10-08 11:34 反激式电源中MOSFET的钳位电路.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 (核心)MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf 762KB2019-10-08 11:34 MOS管驱动电阻怎么选择.doc 254KB2019-10-08 11:34 采用电压箝位控制实现串联IGBT的动态均压.pdf 868KB2019-10-08 11:34 MOSFET驱动器与MOSFET栅极电荷匹配设计.pdf 理解MOSFET的每个特性参数的分析.pdf 读懂并理解MOSFET的Datasheet.pdf 2M2019-10-08 11:34 功率MOSFET并联驱动特性分析.pdf 592KB2019-10-08 11:34 功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析.pdf 118KB2019-10-08 11:34 MOS管驱动电阻怎么选择.pdf 1009KB2019-10-08 11:34 并联MOSFET的雪崩特性分析.doc 229KB2019-10-08 11:34 MOSFET并联技术 -2019-10-08 11:34 IGBT -2019-10-08 11:34 MOSFET驱动电阻功耗讨论-综合电源技术-世纪电源网社区.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOS管与三极管的区别作用特性参数.pdf 2.3M2019-10-08 11:34 MOSFET驱动方式详解.pdf 592KB2019-10-08 11:34 (核心)MOSFET开关详细过程.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 关于MOSFET驱动电阻值的计算.doc 80KB2019-10-08 11:34 理解功率MOSFET的电流.pdf 1.8M2019-10-08 11:34 IR系列MOS驱动ic中文应用手册.pdf 5.5M2019-10-08 11:34 功率MOSFET和IGBT.pdf 1.5M2019-10-08 11:34 如何确定MOSFET的驱动电阻.pdf 977KB2019-10-08 11:34 张兴柱之MOSFET分析.pdf 1.6M2019-10-08 11:34 MOSFET驱动电路设计参考.pdf 369KB2019-10-08 11:34 MOSFET的雪崩能量与器件的热性能.doc 264KB2019-10-08 11:34 mos管的最大持续电流是如何确定.pdf 929KB2019-10-08 11:34 (核心)功率MOSFET的特性.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOSFET选型手册(ALPHA&OMEGA).pdf …………
上传时间： 2013-07-01
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