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接触电阻

对导体间呈现的电阻称为接触电阻。一般要求接触电阻在10-20mΩ以下。有的开关则要求在0.1-0.5Ω以下。有些电路对接触电阻的变化很敏感。应该指出,开关的接触电阻是开关在若干次的接触中的所允许的接触电阻的最大值。
  • 这是测量接触电阻的程序

    这是测量接触电阻的程序,我已定型生产,12位A/D,精度很高!

    标签: 测量 接触电阻 程序

    上传时间: 2017-04-08

    上传用户:sy_jiadeyi

  • 基于开尔文四线法接插件接触电阻自动测试设计与实现

    基于开尔文四线法接插件接触电阻自动测试设计与实现基于开尔文四线法接插件接触电阻自动测试设计与实现

    标签: 电阻

    上传时间: 2022-02-02

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  • 四边形单端带电线路开关的导电回路电阻测试

    采用新型的测试计算法,检测HGIS内部开关及刀闸的接触电阻,便于和出厂数据进行对比。既确保了试验过程中设备和检修人员的人身安全,也缩短了线路停役时间,提高了社会效益。在当前新的用电环境下具有一定的推广意义。

    标签: 单端 电线 开关 导电回路

    上传时间: 2013-11-17

    上传用户:1234321@q

  • 电源连接器Brush Wellman...售的是可靠性

    连接器通常被分为两大类,即信号类和电源类。两类之间的主要区别在于工作电流和电压。 一般来说,信号连接器触点传输的电流少于1安培,且在低到中 等电压下工作。电源类触点传输较高的电流(> 1安培) ,且在中高电压下工 作。电源连接器可制成不同的级别,从IC插座到电缆连接系统。用于测评连接 器在其使用寿命中的稳定性的关键度量是连接器的接触电阻接触电阻是体电阻(Rbulk)、膜电阻(Rf)和紧缩电阻的组合,并存在于电路中使用可分离界面时。

    标签: Wellman Brush 电源连接器 可靠性

    上传时间: 2013-11-02

    上传用户:梧桐

  • PCB可测性设计布线规则之建议―从源头改善可测率

    P C B 可测性设计布线规则之建议― ― 从源头改善可测率PCB 设计除需考虑功能性与安全性等要求外,亦需考虑可生产与可测试。这里提供可测性设计建议供设计布线工程师参考。1. 每一个铜箔电路支点,至少需要一个可测试点。如无对应的测试点,将可导致与之相关的开短路不可检出,并且与之相连的零件会因无测试点而不可测。2. 双面治具会增加制作成本,且上针板的测试针定位准确度差。所以Layout 时应通过Via Hole 尽可能将测试点放置于同一面。这样就只要做单面治具即可。3. 测试选点优先级:A.测垫(Test Pad) B.通孔(Through Hole) C.零件脚(Component Lead) D.贯穿孔(Via Hole)(未Mask)。而对于零件脚,应以AI 零件脚及其它较细较短脚为优先,较粗或较长的引脚接触性误判多。4. PCB 厚度至少要62mil(1.35mm),厚度少于此值之PCB 容易板弯变形,影响测点精准度,制作治具需特殊处理。5. 避免将测点置于SMT 之PAD 上,因SMT 零件会偏移,故不可靠,且易伤及零件。6. 避免使用过长零件脚(>170mil(4.3mm))或过大的孔(直径>1.5mm)为测点。7. 对于电池(Battery)最好预留Jumper,在ICT 测试时能有效隔离电池的影响。8. 定位孔要求:(a) 定位孔(Tooling Hole)直径最好为125mil(3.175mm)及其以上。(b) 每一片PCB 须有2 个定位孔和一个防呆孔(也可说成定位孔,用以预防将PCB反放而导致机器压破板),且孔内不能沾锡。(c) 选择以对角线,距离最远之2 孔为定位孔。(d) 各定位孔(含防呆孔)不应设计成中心对称,即PCB 旋转180 度角后仍能放入PCB,这样,作业员易于反放而致机器压破板)9. 测试点要求:(e) 两测点或测点与预钻孔之中心距不得小于50mil(1.27mm),否则有一测点无法植针。以大于100mil(2.54mm)为佳,其次是75mil(1.905mm)。(f) 测点应离其附近零件(位于同一面者)至少100mil,如为高于3mm 零件,则应至少间距120mil,方便治具制作。(g) 测点应平均分布于PCB 表面,避免局部密度过高,影响治具测试时测试针压力平衡。(h) 测点直径最好能不小于35mil(0.9mm),如在上针板,则最好不小于40mil(1.00mm),圆形、正方形均可。小于0.030”(30mil)之测点需额外加工,以导正目标。(i) 测点的Pad 及Via 不应有防焊漆(Solder Mask)。(j) 测点应离板边或折边至少100mil。(k) 锡点被实践证实是最好的测试探针接触点。因为锡的氧化物较轻且容易刺穿。以锡点作测试点,因接触不良导致误判的机会极少且可延长探针使用寿命。锡点尤其以PCB 光板制作时的喷锡点最佳。PCB 裸铜测点,高温后已氧化,且其硬度高,所以探针接触电阻变化而致测试误判率很高。如果裸铜测点在SMT 时加上锡膏再经回流焊固化为锡点,虽可大幅改善,但因助焊剂或吃锡不完全的缘故,仍会出现较多的接触误判。

    标签: PCB 可测性设计 布线规则

    上传时间: 2014-01-14

    上传用户:cylnpy

  • 此程序为本人在公司开发的继电器功能测试仪

    此程序为本人在公司开发的继电器功能测试仪,用KEIL C编写。可以测试线圈电阻,接触电阻,吸合释放电压,时间等参数。采用WINBONG W77E58 单片机。

    标签: 程序 功能测试 继电器

    上传时间: 2013-12-17

    上传用户:zhangzhenyu

  • 我做的测试超小阻值的仪器

    我做的测试超小阻值的仪器,一般用来测试开关继电器的接触电阻

    标签: 测试 仪器 阻值

    上传时间: 2014-01-21

    上传用户:sevenbestfei

  • SiC MOSFET为什么会使用4引脚封装

    ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构,进一步降低了导通电阻;同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装,改善了开关特性,使开关损耗可以降低35%左右。此次,针对SiCMOSFET采用4引脚封装的原因及其效果等议题,我们采访了ROHM株式会社的应用工程师。关于SiCMOSFET的SCT3xxxxR系列,除了导通电阻很低,还通过采用4引脚封装使开关损耗降低了35%,对此我们非常感兴趣。此次,想请您以4引脚封装为重点介绍一下该产品。首先,请您大致讲一下4引脚封装具体是怎样的封装,采用这种封装的背景和目的是什么。首先,采用4引脚封装是为了改善SiCMOSFET的开关损耗。包括SiCMOSFET在内的电源开关用MOSFET和IGBT,被作为开关元件广泛应用于各种电源应用和电源线路中。必须尽可能地降低这种开关元件产生的开关损耗和传导损耗,但不同的应用,其降低损耗的方法也不尽相同。作为其中的一种手法,近年来发布了一种4引脚的新型封装,即在MOSFET的源极、漏极、栅极三个引脚之外,另外设置了驱动器源极引脚。此次的SCT3xxxxR系列,旨在通过采用最新的沟槽栅极结构,实现更低的导通电阻和传导损耗;通过采用4引脚封装,进一步发挥出SiC本身具有的高速开关性能,并降低开关损耗。那么,我想详细了解一下刚刚您的概述中出现的几个要点。首先,什么是“驱动器源极引脚”?驱动器源极引脚是应用了开尔文连接原理的源极引脚。开尔文连接是通过电阻测量中的4个引脚或四线检测方式,在电流路径基础上加上两条测量电压的线路,以极力消除微小电阻测量或大电流条件下测量时不可忽略的线缆电阻和接触电阻的影响的方法,是一种广为人知的方法。这种4引脚封装仅限源极,通过使连接栅极驱动电路返回线的源极电压引脚与流过大电流的电源源极引脚独立,来消除ID对栅极驱动电路的影响。

    标签: sic mosfet 封装

    上传时间: 2021-11-07

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  • 新型贴片式滚珠感应开关振动传感器YT-JM-CGQ16.25TP的数据手册

    功能Function:  1.振动触发、运动检测,倾斜感应,等触发唤醒功能。  2.传感器是完全被动的,无需任何信号调节,至少具备50nA的电流即可运作,其耗电量取决于应用电路的单一电阻限制电流。  3.产品通过内部滚珠的接触来侦测环境动作,并使接触点间的接触电阻所产生的由高到低或由低到高的变化(建议在应该设计软件时要考虑的是高到低电平、低到高电平的转换变化而不是打开的开关信号,通过电路或软件的延时设置可对自身产品灵敏度的要求来做调试、即可提升产品的准确性和实用性)。  应用ApplicaTIon:  产品广泛适应于:振动感应系统、智能防盗装置,汽车电子/GPRS跟踪器,胎压监测(TPMS),RFID电子标签,智能穿戴,智能蓝牙,智能家居电子,自动步枪/手枪电子装置,微型发射器感应装置/接收器,无线智能数码电子,自动化装置及各类智能系统的振动感应或运动检测而设定应用下的触发唤醒功能。

    标签: 开关振动 传感器

    上传时间: 2022-06-20

    上传用户:zhanglei193

  • 超薄芯片Backend工艺分析及失效研究

    本文主要超薄芯片的背面金属化中的一些问题,阐述了两种主要的背面金属化工艺的建立,并解决了这两个工艺中关键问题,使得工艺获得好的成品率,提高了产品的可靠性,实现了大规模量产。流程(一)介绍了一种通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司(ASMC)开发的一种特殊工艺,工艺采用特殊背面去应力工艺,通过机械应力和背银沾污的控制,将背面金属和硅片的黏附力和金硅接触电阻大大改善。论文同时阐述了一种自创的检验黏附力的方法,通过这种方法的监控,大幅度提高了产品良率,本论文的研究课题来源于企业的大规模生产实践,对于同类的低压低导通电阻VDMOS产品有实用的参考意义。流程(二)讨论了在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金工艺的失效模式及其解决办法。并介绍了我公司独创的刻蚀-淀积-合金以及应力控制同时完成的方案。通过这种技术,使得金硅合金质量得到大步的提升,并同时大大减少了背金工艺中的碎片问题,为企业获得了很好的效益。

    标签: 超薄芯片 backend工艺

    上传时间: 2022-06-26

    上传用户:1208020161