点评国内龙头IC设计半导体上市公司

 

　　信达证券发布的研究报告称，李克强总理的《2014年政府工作报告》中提出在新一代移动通信、集成电路、大数据、先进制造、新能源、新材料等方面赶超先进，引领未来产业发展。各地政府已经开始加大对集成电路行业的扶持力度，市场预期新一轮的集成电路扶持规划有望在二季度出台，这些国家政策将大大的推进集成电路产业发展，相关产业链企业将从中受益。建议关注国民技术、晶方科技、华天科技、长电科技等。

 

　　国民技术：

 

　　主营安全芯片：公司为国内专业从事超大规模信息安全芯片和通讯芯片产品以及整体解决方案研发和销售的国家级高新技术企业，主要产品包括安全芯片和通讯芯片，其中，安全芯片包括USBKEY安全芯片（2011年销售超过6000万颗）、安全存储芯片、可信计算芯片和移动支付芯片，通讯芯片（传统业务）包括通讯接口芯片、通讯射频芯片，已经形成安全及通讯两大方向、6个系列100余款的产品及解决方案的产品布局。公司安全芯片产品正在进行国际CC体系EAL5+安全等级认证，有望成为我国首款通过国际CC高等级认证的芯片。

 

　　移动支付芯片：2012年6月上证报讯，中国移动将与银联达成合作，签署关于移动支付业务合作的框架协议，推出基于NFC技术（近场通信，即13.56MHz技术方案，属银联标准）的移动支付产品。移动未来有望统一移动支付方案至银联主导的13.56MHz标准，并推出SIM卡内置、贴片及挂件3套解决方案。公司所研发的基于超高频段(2.4GHz)的RFID-SIM技术方案(自主知识产权的原始创新)是基于中国移动企业自主标准及规范。由于标尚未制定，公司现有技术方案面临修改而延迟交付的风险；RFID-SIM技术现在处于推广试商用阶段，存在因技术不完善而进行修订的风险；RFID-SIM产品目前尚未大批量生产，存在产能及工艺问题导致不能满足大批量供货要求的风险。公司一款智能卡芯片通过EMVCo认证，国民技术是中国第一家且唯一一家获得该认证的芯片厂商，标志着公司安全芯片技术水平达到了国际公认的高等级水平，获得了国际认可。

 

　　TD-LTE终端射频芯片：公司TD-LTE终端射频芯片的研发，用于TD-LTE通信网络手机终端，提供无线信号收发功能，是手机终端的重要组成部分，可以兼容并适用于TD-SCDMA/ HSPA3G通信网络，采用先进射频集成电路，研制符合TD-LTE/TD-SCDMA相关4G/3G国际标准的手机终端射频芯片，并开发应用电路，提供整体方案。2012年半年报披露，公司已加入工信部TD-LTE工作组，TD-LTE终端射频芯片已量产并开始小批量出货，相关终端方案应用于中移动规模技术实验第二阶段试验以及试商用阶段的批量供货。公司与多家基带芯片厂商合作开发的TD-CDMA/LTE双模终端解决方案取得进展，并已推出支持多模多频段的LTE便携式无线路由器、CPE 和USB Dongle（USB 上网卡）。

 

　　晶方科技：

 

　　全球第二大WLCSP封测服务商：公司主营业务为集成电路的封装测试业务，主要为影像传感芯片、环境光感应芯片、微机电系统(MEMS)、发光电子器件(LED)等提供晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)及测试服务。公司是中国大陆首家、全球第二大能为影像传感芯片提供WLCSP量产服务的专业封测服务商。公司目前封装产品主要有影像传感芯片、环境光感应芯片、医疗电子器件、微机电系统(MEMS)、射频识别芯片(RFID)等，该些产品被广泛应用在消费电子(手机、电脑、照相机等)、医学电子、电子标签身份识别、安防设备等诸多领域。

 

　　多样化WLCSP量产技术：晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)是将芯片尺寸封装(CSP)和晶圆级封装(WLP)融合为一体的新兴封装技术。芯片尺寸封装(CSP)是指封装面积与芯片面积之比小于1.2:1的技术，该技术有效促进集成电路的小型化，与传统封装技术QFP和BGA封装产品相比，晶圆级芯片尺寸封装的产品比QFP产品小75%、重量轻85%，比BGA尺寸小50%、重量轻40%。公司拥有的WLCSP封装技术包括超薄晶圆级芯片尺寸封装技术(ThinPac)、光学型晶圆级芯片尺寸封装技术(ShellOP)、空腔型晶圆级芯片尺寸封装技术(ShellOC)、晶圆级凸点封装技术(RDLWaferBumping)、硅通孔晶圆级芯片尺寸封装技术(TSV)，以及应用于微机电系统(MEMS)、发光电子器件(LED)的晶圆级芯片尺寸封装技术。

 

　　晶圆级芯片尺寸MEMS芯片封装：微机电系统(MEMS)主要应用在汽车电子、工业电子和医疗领域。随着消费类电子产品(如iPhone)的发展，其功能越来越强，同时要求成本降低。解决这一难题的主要方法是在消费类电子产品中引入MEMS(如加速度计、陀螺仪、压力器等)。公司所应用的晶圆级芯片尺寸封装技术(WLCSP)封装的MEMS芯片呈现“短、小、轻、薄”，而且由于晶圆级封装的特性，使得封装的MEMS芯片成本显著降低，并随着晶圆尺寸的增大，成本优势进一步凸显，符合消费类电子产品发展的需求。公司已为客户封装了数百片加速度计MEMS芯片，封装工艺已经成熟，并拥有自主专利。

 

　　华天科技：

 

　　主营集成电路封装行业：公司被评为我国最具成长性封装测试企业，年封装能力居于内资专业封装企业第三位，集成电路封装产品已有DIP、SOP、SSOP(含TSSOP)、QFP(含LQFP)、SOT等五大系列80多个品种，封装成品率稳定在99.7%以上。2013年上半年，公司通过项目的有效实施，集成电路年封装能力由80亿块增加到85亿块，2013年上半年共封装集成电路38.48亿块。

 

　　TSV技术&MEMS传感器：TSV(through silicon via)技术是穿透硅通孔技术的缩写，是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。由于TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能，成为目前电子封装技术中最引人注目的一种技术。2013年8月，公司完成发行4.61亿元可转债，1.4亿元用于收购昆山西钛28.85%股权(2014年2月更名为昆山华天)，收购完成后，公司将持有其63.85%股权。昆山华天主要从事超大规模集成电路封装，并生产手机、笔记本电脑及车载影像系统等使用的微型摄像头模组和MEMS传感器(光电子器件)。已建成每月2000片左右影像传感器封装产能，实现了最先进TSV技术CSP封装方式产业化。2013年1-6月，昆山华天实现营业收入3.85亿元，净利润1721万元。公司预计预计2013年、2014年昆山华天的净利润分别为3021.38万元和4016.14万元。

 

　　集成电路封装工艺升级及产业化：2011年11月，公司以11.12元/股定向增发3290万股募资3.65848亿元投入三项目。其中，铜线键合集成电路封装工艺升级及产业化项目总投资20160万元。项目投产后预计年新增销售收入24520万元，净利润3250万元。集成电路高端封装测试生产线技术改造项目总投资29840万元。项目投产后预计年新增销售收入40129万元，净利润5193万元。集成电路封装测试生产线工艺升级技术改造项目总投资41400万元。项目投产后预计年新增销售收入45720万元，净利润5463万元。(截止2012年年末，上述项目累计投资额合计为35051.8万元，2012年1-12月合计实现效益4708.2万元)

 

　　长电科技：

 

　　集成电路制造全产业链：公司高端集成电路的生产能力在行业中处于领先地位。Bumping8″～12″年产能达72万片次，WLCSP具有3P3M量产能力，年产能可达18亿颗；具备国际先进的芯片中段封装能力；以封装移动基带芯片为主的BGA已规模化量产，铜线合金线使用率达90%以上；12″40nmlow-k芯片BGA封装已率先在国内规模化量产；FlipChiponL/F和FCBGA年产能分别达到3.6亿颗和2400万颗，形成了Bumping到FlipChip一条龙封装服务能力，具有国际先进水平的3D3轴地磁传感器MEMS封装年产能达到1亿颗；以MIS技术封装的产品已规模化量产，2012年共生产33579万颗，得到国际知名客户认可，成为公司有核心竞争力的拳头产品。公司2012年在全球封测企业排名第七，比2011年上升一位。

 

　　TSV技术：TSV(through silicon via)技术是穿透硅通孔技术的缩写，是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。由于TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能，成为目前电子封装技术中最引人注目的一种技术。2013年10月公司在上交所e互动上表示：公司控股子公司长电先进的TSV技术系购买的国际专利技术，公司在此基础上进行二次开发，目前还在研发过程中，相关产品还未规模化生产。

 

　　发展集成电路封测技术：2012年8月，公司出资2000万元(占20%)与中科院微电子研究所(占25%)、南通富士通微电子、天水华天科技、深南电路等共同投资设立华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，新公司注册资本1亿元。本次投资有利于公司加快集成电路封测技术的发展，在产业规模、技术创新能力、面向高端封测市场占有率及能力等方面缩小与国际先进水平的差距，进一步巩固行业领先地位，扩大市场份额，符合公司战略发展的要求。未来对公司财务状况和经营成果的影响主要体现在投资分红收益等方面。