耗尽型MOS管(MOSFET)特性曲线及主要参数

 上面介绍的是增强型 N 沟道 MOS-FET 的简单工作原理，对于 P 沟道的增强型 MOS-FET 来说，其偏置极性相反，原理相同。增强 MOS-FET 的特点是， N 沟道的建立是 UgS 的贡献，没有 Ugs > Ut ，导电沟道就无法建立， D 、 S 之间就不会有导通电流。与增强型 MOS-FET 相比，另有一种 MOS-FET，称为耗尽型 MOS 一 FET ，它在制造过程中，在二氧化硅绝缘层中搀进大量正离子，形成一个正电中心，产生了指向 P 型硅表面的垂直电场，在 Ugs 为零时， D 、 s 之间已经有 N 沟道形成，若外加 Ugs 大于零，导电沟道加宽，当 Ugs 为负值，负到一定值时，正电中心形成的垂直电场被抵消，导电沟道消失。此时的 UgS 也被定义成夹断电压，记为 Ut 。耗尽型

MOS 一 FET 的特性曲线类似于增强型 MOS 一 FET ，只是出现了负偏置需求，请看图 1 . 26 的典型特性曲线：



MOS-FET 的主要参数

[ l ］饱和漏极电流 IdsS ，是指在 Ugs =OV , Uds >|Up|时的Id 值，是耗尽型管的参数。

[ 2 ］夹断电压 Up ，是指 UdS 固定时，使得耗尽型 MOS-FET 的 Id 几乎为零时的栅源极间电压值。

[ 3 ］开启电压 Ut ，是指 UdS 固定时，使得增强型 Mos-FET 开始导电的栅源极间电压值。

[ 4 ］直流输入电阻 RgS ，它等于栅极直流电压 Ugs 与栅极电流之比， MOS-FET 的 Rgs 在 10e10-10e15 Ohm 之间。

[ 5 ］栅源极间击穿电压 BVgS ，是指 G 、 S 间发生击穿时的 UgS 电压值。

[ 6 ］最大功耗 Pdm=Id*Uds .

[ 7 ］跨导 Gm ，是指 UdS 、 UbS 为常数时，漏极电流的变化量与栅源极间电压变化量之比。本质为转移特性曲线工作点处的斜率。

[ 8 ］输出电阻 RdS ，是指恒流区，当 Ugs 、 Ubs 为常数时， UdS 的变化量与 Ids 变化量之比。本质意义是输出特性曲线工作点处的斜率

。

[ 9 ］动态导通电阻 Ron ，是指在可变电阻区，当 UdS 、 UbS 为常数时， Uds 变化量与 Ids 变化量之比，可以证明 Ron=1/Gm 。

[10 ］背栅跨导 Gmb ，是指 UdS 、 Ugs 为常数时， Ubs 变化量与 Id 变化量之比。

[ l1 ］极间电容，是指 MOS-FET 三个引脚之间的寄生电容： CgS 、 CdS 、 Cdg，以及背栅与其它电极之间的电容： Cbd,Cbg,CbS 。