雪崩光电二极管(APD)结构及原理

雪崩光电二极管(APD)结构及原理
 雪崩光电二极管(APD)结构及原理

 当耗尽区中的场强达到足够大（~3*1O^5V/cm）时，光生载流子将被加速到很高的速度，在运动过程中与晶格中的原子碰撞时会使之电离，产

 生额外的电子空穴对。这些新生电子和空穴也被加速，发生新的碰撞和电离，产生更多的电子一空穴对。这个物理过程称为雪崩效应，它倍增 了一次光电流，使之得到放大。由于倍增过程是随机产生的，倍增增益就取统计平均值。＜g>=G。倍增增益与许多因素有关，如载流子电

 离系数，雪崩区的宽度以及反向偏压的高低等。