结型场效应管(J-FET)的特性曲线

结型场效应管(J-FET)的特性曲线
 结型场效应管(J-FET)的特性曲线

 

 输出特性

 

 

 

 (4) 击穿区

 击穿区为图3.4(b)中最右侧的部分，表示为升高到一定程度后，反向偏置的PN结被击穿，将急剧增大，若电流过大，管子将被损坏。一般用U(BR)DS来表示它的漏源之间的击穿电压。使用器件时，必须保证U DS＜U(BR)DS，以防止器件进入击穿区。一般U(BR)DS在20～50V之间，且随UGS的增加而增加，这在使用时应予以注意。

 对于P沟道JFET的原理和特性，它与N沟道JFET的主要差别是在于UGS及UDS所需的电压极性，在P沟道JFET中，UGS＞0，而UDS＜0。器件的原理与特性同学们可以自行分析。