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MACOM 高功率GaN产品组合

  • 资源大小:12925 K
  • 上传时间: 2022-12-05
  • 上传用户:lipengxu
  • 资源积分:2 下载积分
  • 标      签: MACOM 高功率 GaN

资 源 简 介

GaN技术相比传统LDMOS的优势已经不必多说,这项技术在RF领域已经得到认可。更小尺寸、更高效能、更大功率和更宽带宽;这些优势都是LDMOS所不能比拟的。即便如此,目前GaN技术还是没有完全取代LDMOS。这是为什么呢?主要是三方面的原因限制了GaN技术产品的普及。第一就是成本,与传统LDMOS相比GaN的成本较高;目前可用的商用GaN主要还是基于较高成本的SiC基板。第二个原因就是供应链的可靠性;SiC外延供应目前无法达到LDMOS的水平。第三个原因就是供货能力;晶元尺寸支持受到SiC可用能力的限制。 而MACOM提供的第四代Si基GaN技术就可以消除这三个问题,加速GaN技术的普及。纯硅基底相比SiC生长更为迅速,并且容量大成本低,缺陷率也更小。

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