在一般较低性能的三相电压源逆变器中， 各种与电流相关的
性能控制， 通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可，
如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。同时， 这一检测结
果也可以用来完成对逆变单元中IGBT 实现过流保护等功能。因
此在这种逆变器中， 对IGBT 驱动电路的要求相对比较简单， 成本
也比较低。这种类型的驱动芯片主要有东芝公司生产的TLP250，
夏普公司生产的PC923等等。这里主要针对TLP250 做一介绍。
TLP250 包含一个GaAlAs 光发射二极管和一个集成光探测器， 8
脚双列封装结构。适合于IGBT 或电力MOSFET 栅极驱动电路。图2
为TLP250 的内部结构简图， 表1 给出了其工作时的真值表。
TLP250 的典型特征如下：
1） 输入阈值电流（ IF） ： 5 mA（ 最大） ；
2） 电源电流（ ICC） ： 11 mA（ 最大） ；
3） 电源电压（ VCC） ： 10～ 35 V；
4） 输出电流（ IO） ： ± 0.5 A（ 最小） ；
5） 开关时间（ tPLH /tPHL ） ： 0.5 μ（ s 最 大 ） ；
6） 隔离电压： 2500 Vpms（最小）。
表2 给出了TLP250 的开关特性，表3 给出了TLP250 的推荐工作条件。
注： 使 用 TLP250 时 应 在 管 脚 8和 5 间 连 接 一 个 0.1 μ的 F 陶 瓷 电 容 来
稳定高增益线性放大器的工作， 提供的旁路作用失效会损坏开
关性能， 电容和光耦之间的引线长度不应超过1 cm。
图3 和图4 给出了TLP250 的两种典型的应用电路。
