半导体云讲堂——宽禁带半导体(GaN、SiC)材料及器件测试
宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料, 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。
四探针技术要求样品为薄膜样品或块状, 范德堡法为更通用的四探针测量技术,
对样品形状没有要求, 且不需要测量样品所有尺寸, 但需满足以下四个条件
• 样品必须具有均匀厚度的扁平形状。
• 样品不能有任何隔离的孔。
• 样品必须是均质和各向同性的。
• 所有四个触点必须位于样品的边缘。
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上传时间: 2022-01-03
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资源简介:该文档为宽禁带半导体器件对比简介文档,是一份很不错的参考资料,具有较高参考价值,感兴趣的可以下载看看………………
上传时间: 2021-11-19
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上传时间: 2021-12-08
上传用户:shjgzh
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上传时间: 2013-12-20
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上传时间: 2013-12-19
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上传时间: 2013-12-12
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上传时间: 2014-01-09
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上传用户:青春给了作业95
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上传时间: 2014-12-04
上传用户:cppersonal
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