105W PFC+QR 氮化镓PD快充原理图

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  资源简介：105W PFC+QR 氮化镓PD快充原理图

  标签： 氮化镓PD快充

  上传时间： 2021-10-16

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• 105W PFC+QR 氮化镓PD快充原理图免费下载

  资源简介：105W PFC+QR 氮化镓PD快充原理图

  标签： 氮化镓PD快充

  上传时间： 2021-10-16

  上传用户：得之我幸78

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  资源简介：基于氮化镓MOS的高效PD协议智能充电器，超小体积超高效率，用于手机、pad、笔记本电脑的充电。

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  上传时间： 2022-03-28

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  上传时间： 2022-01-01

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  上传时间： 2021-12-04

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  标签： usb hdmi

  上传时间： 2022-01-15

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• USB-PD快充和Type-C测试方案免费下载

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  标签： usb Type-C

  上传时间： 2022-06-24

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• 用于受电端的PD协议诱骗芯片，无需更改原有电路即可实现PD快充功能，无线充产品更适合免费下载

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  上传时间： 2022-06-25

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  上传时间： 2021-10-29

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  标签： 场效应晶体管 集成电路

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  上传时间： 2022-06-21

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  资源简介：作者：何亮，刘扬论文摘要：氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ，非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ，具 有 十 分 广 阔 的 市场前景 。 S i衬 底 上 G a N 基 功 率 开 关 器 件 是 目 前 的 主 流 技 术 路 ...

  标签： 第三代半导体 GaN 功率开关器件

  上传时间： 2021-12-08

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  资源简介：半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范...

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  上传时间： 2022-01-03

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  上传时间： 2022-04-10

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  标签： IP2161 快充协议 IC

  上传时间： 2019-03-18

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  标签： IP6505 DCDC集成快充芯片

  上传时间： 2019-03-18

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  上传时间： 2021-12-31

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  标签： fp6601q 快充协议 华为快充协议 qc2.0 qc3.0

  上传时间： 2022-02-21

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