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MOS管驱动基础和时间功耗计算

  • 资源大小:870 K
  • 上传时间: 2013-12-09
  • 上传用户:A15117704533
  • 资源积分:2 下载积分
  • 标      签: MOS 驱动 功耗计算

资 源 简 介

MOS关模型

Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输出,因此等效值由于Vds电压要比原来大很多,这个称为米勒效应。由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的,我们在实际应用的时候需要修改Cgd的值。

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