“闪存(Flash)”这一名称，是源于该存储器件只需单步操作即能擦除其中所有内容的能力。军用装备很早就从这一能力中获益，军用装备都包含机密信息，一旦即将落入敌手，就应该迅速予以破坏。与EEPROM类似，Flash的数据存储也是通过向其晶体管栅区存入电荷来实现。电荷在栅上的存储是通过注入一定量的电荷、让其穿过绝缘氧化层来实现的。
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