为了系统深入地研究MoS2的电子能带结构和光电性质，基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方
法，计算和分析了材料MoS2的电子结构及其光学性质，给出了MoS2 的能带结构、光吸收谱、电子态密度、能
量损失谱、反射谱、介电函数谱等光学性质。计算结果表明：体材料MoS2的电子跃迁形式是非垂直跃迁，具有
间接带隙的半导体材料，带隙宽为1.126 eV；价带和导带的形成是由Mo和S 的价电子起作用产生的。通过分析
其光学性质，发现MoS2的介电函数的实部和虚部的峰值都出现在低能区，当光子能量的升高，介电函数值会缓
慢降低；材料MoS2对可见紫外区域的光子具有很强的吸收，最大吸收系数为3.17×105cm-1；MoS2在能量为18.33eV
位置出现了共振现象，其它区域内能量的损失值都趋于为0，说明电子之间共振非常微弱。这些光学性质奠定了
该材料在制作微电子和光电子器件方面的作用，尤其是在紫外探测器应用方面有着潜在的应用前景，为未来对
MoS2材料的进一步研究提供理论参考。
