基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变正温度电压的系数,以适应不同工艺下负温度系数的变化,最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明:在27 ℃下,10 Hz时电源抑制比(PSRR)-109 dB,10 kHz时(PSRR)达到-64 dB;在4 V电源电压下,在-40~80 ℃范围内的不同工艺角下,温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
资源简介:基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路...
上传时间: 2014-12-03
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资源简介:摘要:采用共源共栅运算放大器作为驱动,设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路,并在TSMC0.18Um CMOS工艺下,采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明:在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益,电源抑制比达到-100dB,电源电压...
上传时间: 2013-11-19
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资源简介:介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明:在-40~100 ℃的温度范围内,输出电压...
上传时间: 2013-10-27
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上传时间: 2013-10-08
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上传时间: 2021-10-17
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上传时间: 2021-10-17
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上传时间: 2014-01-09
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上传时间: 2013-10-20
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上传时间: 2013-12-27
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资源简介:针对常用电流模式的升压转换器结构,提出了一种高精度电流检测电路。该电路在保证响应速度的 前提下,通过增加电路环路增益,降低误差源等方法,提高检测电路的电流检测精度。与其他结构电路相 比,有结构简单,响应速度快,电流检测精度高的优点。基于Char...
上传时间: 2013-04-24
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上传时间: 2014-11-21
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资源简介:贲文介绍了一种高精度数字式就地指示温度计。使用Pt1000热电阻做测温传感器,采用典型的三线制接线方法来实现热电阻采样检测电路及导线的补偿。设计了微功耗高分辨率、高精度采样A/D通道,使得在-100℃~300℃范围内,测量精度达到了0.02 。设计了微功耗的控...
上传时间: 2013-12-24
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资源简介:一种基于FPGA 实现的全并行结构FFT 设计方法,采用全并行加流水结构, 可在一个时钟节拍内完成32 点FFT 运算的功能, 设计最高运算速度可达11ns
上传时间: 2013-08-16
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上传时间: 2013-10-25
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上传时间: 2015-02-09
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上传时间: 2013-12-21
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上传时间: 2014-01-03
上传用户:luke5347
资源简介:介绍一种高分辨率的双路A/D转换器AD7711,能满足双路A/D采样要求。内容包括AD7711的特点, 内部寄存器结构和外部接口,并详细阐述了数据采集系统中AD7711与单片机AT89S8252的接口技术,包 括硬件接口电路和软件程序设计及其注意事项。
上传时间: 2013-12-24
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资源简介:一种基于局部密度比权重设置模型的加权支持向量回归模型来单步求解多分类问题:该方法先分别对类样本中每类样本利用局部密度比权重设置模型求出每个样本的权重隶属因子,然后运用加权lib支持向量回归算法对所有样本进行训练,获得回归分类器,希望对大家有用!
上传时间: 2013-12-06
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上传时间: 2013-12-18
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上传时间: 2016-11-07
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上传时间: 2013-12-25
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上传时间: 2013-12-20
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资源简介:A3955SB是美国Allegro公司推出的一种高集成度步进电机驱动专用芯片,文中介绍了该芯片的特点、引脚功能和工作原理,给出了一种性价比较高的实用电路。
上传时间: 2014-01-22
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